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S系列 MOSFET管电性能分析用源表
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武汉普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、插卡式源表、窄脉冲电流源、VCSEL测试系统等，*国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。
武汉普赛斯将以服务客户为中心，追求可持续发展，精益求精，坚持不懈，努力将自身打造成。
武汉普赛斯仪表公司成立于2019年，是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司。坐落于国家*产业基地“武汉·中国光谷”，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业，拥有以硕士、博士为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。
武汉普赛斯电子技术有限公司是一家高科技企业，专业研究和开发光通信器件产线监测和测试方案和自动化测试设备。产品覆盖CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收发模块、BOB等生产线。客户包括：华为、海思、中兴、光迅、海信、正源光子、旭创等，公司旨在为光电器件生产企业提供完美的服务，针对产线生产的痛点问题，模拟现实应用环境，进行半导体光器件性能指标生产监测和测试，实现产品生产过程实时可监控、可追溯。具有综合性、完备性、稳定性、半自动化或自动化等特点，从而提高用户产线产品的生产效率、可靠性、稳定性、一致性。
详细信息
MOSFET管电性能分析用源表集电压、电流输入输出及测量等多种功能，最大输出电压达300V，最小电流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中:半导体IC或元器件，功率器件，传感器，有机材料与纳米材料等特性测试和分析。
以下是数字源表的典型应用领域:
纳米材料与器件
– 石墨烯
– 碳纳米管
– 纳米线
– 低功耗纳米结构
• 半导体结构
– 晶圆
– 薄膜
• 有机材料与器件
– 电子墨水
– 印刷电子技术
• 能量效率与照明
– LED/AMOLED
– 光伏/太阳电池
– 电池
• 分立器件与无源组件
– 双引线: 电阻器、二极管、齐纳二极管、LED、传感器
– 三引线: 小信号双极节型晶体管(BJT)、场效应晶体管 (FET)，等等
• 材料特性分析
–电阻率
–霍尔效应
典型的器件参数测试如下：
晶体管/整流器：正向电压(Vf)、反向电压(Vr)、反向漏电流(Ir)
MOSFET/JFET：输出特性(Vds-Id)、转移特性(Vgs-Id)、导通电阻(Rdson)、击穿电压(BVdss,BVdg)、漏电流(Idss,Igss)
双极性晶体管/IGBT：饱和电压(Vcesat)、输出特性(Vce-Ic)、击穿电压(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏电流(Iceo,Ices,Iebo)
以上是关于MOSFET管电性能分析用源表的信息，更多有关MOSFET管电性能分析用源表的信息找武汉生产厂家普赛斯仪表
