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S系列 APD管iv性能分析数字源表
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武汉普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、插卡式源表、窄脉冲电流源、VCSEL测试系统等，*国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。
武汉普赛斯将以服务客户为中心，追求可持续发展，精益求精，坚持不懈，努力将自身打造成。
武汉普赛斯仪表公司成立于2019年，是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司。坐落于国家*产业基地“武汉·中国光谷”，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业，拥有以硕士、博士为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。
武汉普赛斯电子技术有限公司是一家高科技企业，专业研究和开发光通信器件产线监测和测试方案和自动化测试设备。产品覆盖CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收发模块、BOB等生产线。客户包括：华为、海思、中兴、光迅、海信、正源光子、旭创等，公司旨在为光电器件生产企业提供完美的服务，针对产线生产的痛点问题，模拟现实应用环境，进行半导体光器件性能指标生产监测和测试，实现产品生产过程实时可监控、可追溯。具有综合性、完备性、稳定性、半自动化或自动化等特点，从而提高用户产线产品的生产效率、可靠性、稳定性、一致性。
详细信息
APD管iv性能分析数字源表
击穿电压是指当没有输入光输出电流为10uA时对应的电压，大多在40V至60V范围，有些甚至要求高达80V。
暗电流是指当没有输入光偏置电压使用0.9倍击穿电压时的输出电流，暗流很小一般在几个nA。
APD管iv性能分析数字源表简介
S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的*国产化的源表，集电压、电流输入输出及测量等多种功能，最大输出电压达300V，最小电流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中:半导体IC或元器件，功率器件，传感器，有机材料与纳米材料等特性测试和分析。
产品特点
5寸800*480触摸显示屏，全图形化操作
内置强大的功能软件，加速用户完成测试，如LIV、PIV
源及测量的准确度为0.1%，分辨率5位半
四象限工作（源和肼），源及测量范围：高至300V，低至10pA
丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
支持USB存储，一键导出测试报告
支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网
S系列源表技术参数
最大输出功率：30W，4象限源或肼模式；
源限度：电压源：±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；
电流源：±1.05A（≤30V量程），±105mA（≤300V量程）；
过量程： 105%量程，源和测量；
稳定负载电容：<22nF；
宽带噪声(20MHz)：2mV RMS（典型值），<20mV Vp-p（典型值）；
线缆保护电压：输出阻抗1KΩ，输出电压偏移<80uV；
最大采样速率：1000 S/s；
触发：支持IO触发输入及输出，触发极性可配置；
输出接口：前后面板香蕉头插座输出，同一时刻只能用前或者后面板接口；
通信口：RS-232、GPIB、以太网；
电源：AC 100~240V 50/60Hz；
工作环境：25±10℃；
尺寸：106mm高 × 255mm宽 × 425mm长；
APD管iv性能分析数字源表应用
•分立半导体器件特性测试，电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
•能量与效率特性测试，LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等
•传感器特性测试，电阻率、霍尔效应等
•有机材料特性测试，电子墨水、印刷电子技术等
•纳米材料特性测试，石墨烯、纳米线等
