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硅片方阻电阻率
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公司成立于2021年，是一家注册在苏州、具备技术的非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体，主要攻克国外垄断技术，替代进口产品，使半导体材料测试设备国产化。
主要产品：非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪、方阻测试仪、硅片电阻率测试仪、涡流法高低电阻率分析仪、晶锭电阻率分析仪、涡流法电阻率探头和PN探头测试仪、迁移率（霍尔）测试仪、少子寿命测试仪，晶圆、硅片厚度测试仪、表面光电压仪JPV\SPV、汞CV、ECV。为碳化硅、硅片、氮化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案。
凭借*的技术和丰富的产品设计经验，申请各项知识产权20余项，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。
详细信息
专注于非接触式半导体计量分析技术的开发和生产 ，攻克被国外卡脖子技术。
产品广泛应用于半导体、光伏、科研以及平板材料测试领域。借助公司*计量分析测试技术，为晶圆、碳化硅、硅片、封装测试等生产和品质监控，提供一整套完整测试和解决方案。
晶圆电阻率测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，迁移率（霍尔）测试仪，少子寿命测试仪，
一、
晶圆电阻率测试仪
硅片方阻测试仪
涡流法低电阻率分析仪
晶锭电阻率分析仪
非接触少子寿命
参数 | 方阻 | 电阻率（厚度180um） | 方法 | |
探头量程 | 1-600Ω/¨ | 0.018-10.8 Ω∙cm | 涡流法 | |
探头性能 | 动态重复性 | 静态重复性 | 示值误差 | |
1-80Ω/¨（0.018 - 1.44Ω∙cm） < 0.2% | <0.01% | ±1% | ||
80-120Ω/¨（1.44 - 2.16Ω∙cm） < 0.3% | ||||
120-300Ω/¨（2.16 - 5.4Ω∙cm） < 0.5% | ||||
300-600Ω/¨（5.4 - 10.8Ω∙cm）< 1% | ||||
外形尺寸 | 上探头Ф20*145mm | 下探头Ф20*50mm | ||
信号采集 | 采样率：1500Sps | |||
采样个数：512点/单次 | ||||
采样缓存：8级数据记录缓存 | ||||
数据传输：RS232 RS485CANTCP/IP | ||||
传输协议：Modbus Rtu/ Modbus Tcp 用户自定义协议等 | ||||
供电电源 | 24V/1A | |||
