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氮化镓电阻率方阻测试仪
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晶圆电阻率测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，迁移率测试仪，少子寿命测试仪
公司成立于2021年，是一家注册在苏州、具备技术的非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体，主要攻克国外垄断技术，替代进口产品，使半导体材料测试设备国产化。
主要产品：非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪、方阻测试仪、硅片电阻率测试仪、涡流法高低电阻率分析仪、晶锭电阻率分析仪、涡流法电阻率探头和PN探头测试仪、迁移率（霍尔）测试仪、少子寿命测试仪，晶圆、硅片厚度测试仪、表面光电压仪JPV\SPV、汞CV、ECV。为碳化硅、硅片、氮化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案。
凭借*的技术和丰富的产品设计经验，申请各项知识产权20余项，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。
详细信息
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙较宽，为3.4eV，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。其次，氮化镓具有优良的电子迁移率和电子饱和漂移速度，这使得它在射频和微波电子器件中具有出色的性能，例如5G通信系统中的射频功率放大器。
氮化镓晶体的晶格结构可以描述为每个镓原子周围环绕着四个氮原子，而每个氮原子周围也被四个镓原子包围。这种结构称为闪锌矿结构或者螺旋状烯结构，它是由镓原子和氮原子所构成的共价键和离子键交替排列而成。
