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迁移率少子寿命测试仪

型号
九域半导体科技(苏州)有限公司

中级会员1年 

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晶圆电阻率测试仪,硅片电阻率测试仪,涡流法低电阻率分析仪,晶锭电阻率分析仪,迁移率测试仪,少子寿命测试仪

公司成立于2021年,是一家注册在苏州、具备技术的非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体,主要攻克国外垄断技术,替代进口产品,使半导体材料测试设备国产化。

主要产品:非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪、方阻测试仪、硅片电阻率测试仪、涡流法高低电阻率分析仪、晶锭电阻率分析仪、涡流法电阻率探头和PN探头测试仪、迁移率(霍尔)测试仪、少子寿命测试仪,晶圆、硅片厚度测试仪、表面光电压仪JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案

凭借*的技术和丰富的产品设计经验申请各项知识产权20余项,已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商,产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可,并取得良好的市场口碑。





详细信息

迁移率少子寿命测试仪特点:

测试范围广:包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅片等的少子寿命及锗单晶的少子寿命测量。

■主要应用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片的进厂、出厂检查,生产工艺过程中重金属沾污和缺陷的监控等。

■适用于低阻硅料少子寿命的测量,电阻率测量范围可达ρ>0.1Ω?cm(可扩展至0.01Ω?cm),完了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题。

■全程监控动态测试过程,避免了微波光电导(u-PCD)无法观测晶体硅陷阱效应,表面复合效应缺陷的问题。

■贯穿深度大,达500微米,相比微波光电导的30微米的贯穿深度,真正体现了少子的体寿命的测量,避免了表面复合效应的干扰。

■专业定制样品架地满足了原生多晶硅料生产企业测试多种形状的硅材料少子寿命的要求,包括硅芯、检磷棒、检硼棒等。

迁移率少子寿命测试仪性价比高,价格远低于国外国外少子寿命测试仪产品,极大程度地降低了企业的测试成本。

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