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E300 IGBT器件动态参数测试需要哪些仪器呢
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武汉普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、插卡式源表、窄脉冲电流源、VCSEL测试系统等，*国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。
武汉普赛斯将以服务客户为中心，追求可持续发展，精益求精，坚持不懈，努力将自身打造成。
武汉普赛斯仪表公司成立于2019年，是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司。坐落于国家*产业基地“武汉·中国光谷”，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业，拥有以硕士、博士为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。
武汉普赛斯电子技术有限公司是一家高科技企业，专业研究和开发光通信器件产线监测和测试方案和自动化测试设备。产品覆盖CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收发模块、BOB等生产线。客户包括：华为、海思、中兴、光迅、海信、正源光子、旭创等，公司旨在为光电器件生产企业提供完美的服务，针对产线生产的痛点问题，模拟现实应用环境，进行半导体光器件性能指标生产监测和测试，实现产品生产过程实时可监控、可追溯。具有综合性、完备性、稳定性、半自动化或自动化等特点，从而提高用户产线产品的生产效率、可靠性、稳定性、一致性。
详细信息
IGBT测试难点：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。
那么IGBT器件动态参数测试需要哪些仪器呢？IGBT测试，一般需要多台仪表整合为成套测试系统，单独的一台源表，或者采集卡，并不能满足测试需要。不同的测试，需要不同的仪器仪表进行整合。如下为普赛斯产品，在不同测试中的使用情况,随着普赛斯产品的不断完善，后续会满足IGBT更多项目的测试。
测试项目 | 普赛斯产品 | |||
静态测试 | E300高压程控电源 | HCPL100高电流脉冲源 | P300脉冲源表 | PMST夹具箱 |
动态测试 | E300高压程控电源 | P300脉冲源表 | A200高速采集卡 | |
功率循环 | A400采集卡 | |||
老化测试 | E300高压程控电源 | |||
一、E300高电压源测单元
E系列高电压源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
二、P系列脉冲数字源表
P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。
总之，IGBT器件动态参数测试需要的仪器是一系列的，具体可以找生产厂家普赛斯仪表为您提供检测方案哦！
