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HCPL100 IGBT静态测试系统
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生产厂家武汉普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、插卡式源表、窄脉冲电流源、VCSEL测试系统等,*国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺,为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台,以及相关技术服务,满足行业对测试效率、测试精度,以及低成本的挑战。
武汉普赛斯将以服务客户为中心,追求可持续发展,精益求精,坚持不懈,努力将自身打造成。
武汉普赛斯仪表公司成立于2019年,是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司。坐落于国家*产业基地“武汉·中国光谷”,是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业,拥有以硕士、博士为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。
武汉普赛斯电子技术有限公司是一家高科技企业,专业研究和开发光通信器件产线监测和测试方案和自动化测试设备。产品覆盖CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收发模块、BOB等生产线。客户包括:华为、海思、中兴、光迅、海信、正源光子、旭创等,公司旨在为光电器件生产企业提供完美的服务,针对产线生产的痛点问题,模拟现实应用环境,进行半导体光器件性能指标生产监测和测试,实现产品生产过程实时可监控、可追溯。具有综合性、完备性、稳定性、半自动化或自动化等特点,从而提高用户产线产品的生产效率、可靠性、稳定性、一致性。
IGBT静态测试系统
产品简介
功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,p*电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。
普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。
IGBT静态测试系统特点
高电压:支持高达3KV高电压测试;
大电流:支持高达4KA大电流测试;
高精度:支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量;
丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;
技术指标
产品应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;
产地类别 | 国产 |
电动机功率 | 0.3kW |
外形尺寸 | 19英寸1U机箱mm |
应用领域 | 医疗卫生,化工,电子 |
重量 | 6kg |
单台PW | 高达12V/1000A,可多台并联 |
CW | 高达3000V/100mA |
最小分辨率 | 30uV/10pA |