仪器描述特点：

 · 易于安装

· 基于视窗结构的软件，很容易操作

· *的光学设计，以确保能发挥出zei佳的系统性能

· 能够自动的以0.01度的分辨率改变入射角度

· 高功率的DUV－VIS光源，能够应用在很宽的波段内

· 基于阵列设计的探测器系统，以确保快速测量

· zei多可测量12层薄膜的厚度及折射率

· 能够用于实时或在线的监控光谱、厚度及折射率等参数

· 系统配备大量的光学常数数据及数据库

· 对于每个被测薄膜样品，用户可以利用*的TFProbe3.0软件功能选择使用NK数据库、也可以进行色散或者复合模型（EMA）测量分析；

· 三种不同水平的用户控制模式：专家模式、系统服务模式及初级用户模式

· 灵活的专家模式可用于各种*的设置和光学模型测试

· 健全的一键按钮(Turn－key)对于快速和日常的测量提供了很好的解决方案

· 用户可根据自己的喜好及操作习惯来配置参数的测量

· 系统有着全自动的计算功能及初始化功能

· 无需外部的光学器件，系统从样品测量信号中，直接就可以对样品进行准确的校准

· 可京密的调节高度及倾斜度· 能够应用于测量不同厚度、不同类型的基片

· 各种方案及附件可用于诸如平面成像、测量波长扩展、焦斑测量等各种特殊的需求

· 2D和3D的图形输出和友好的用户数据管理界面。

系统配置：

· 型号：SE200BM-M300· 探测器：阵列探测器

· 光源：高功率的DUV-Vis-NIR复合光源

· 指示角度变化：手动调节

· 平台：ρ-θ配置的自动成像

· 软件：TFProbe 3.2版本的软件

· 计算机：Inter双核处理器、19”宽屏LCD显示器

· 电源：110–240V AC/50-60Hz，6A

· 保修：一年的整机及零备件保修

规格： 

· 波长范围：250nm到1000 nm

· 波长分辨率: 1nm· 光斑尺寸：1mm至5mm可变

· 入射角范围：0到90度

· 入射角变化分辨率：5度 间隔

· 样品尺寸：zei大直径为300mm

· 基板尺寸：zei多可至20毫米厚

· 测量厚度范围*：0nm?10μm

· 测量时间：约1秒/位置点 

· 准确度*：优于0.25％

· 重复性误差*：小于1 ?

选项:                  

· 用于反射的光度测量或透射测量

· 用于测量小区域的微小光斑

· 用于改变入射角度的自动量角器

· X－Y成像平台(X-Y模式，取代ρ-θ模式)

· 加热/致冷平台

· 样品垂直安装角度计

· 波长可扩展到远DUV或IR范围

· 扫描单色仪的配置

· 联合MSP的数字成像功能，可用于对样品的图像进行测量

应用:                 

· 半导体制造（PR，Oxide, Nitride..) 

· 液晶显示（ITO，PR，Cell gap... ..） 

· 医学，生物薄膜及材料领域等

· 油墨，矿物学，颜料，调色剂等

· 医药，中间设备

· 光学涂层，TiO2, SiO2, Ta2O5... .. 

· 半导体化合物

· 在MEMS/MOEMS系统上的功能性薄膜

· 非晶体，那米材料和结晶硅