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ZG SOI芯片光电探测器集成度高
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生产厂家四川梓冠光电科技有限公司成立于2015年8月,位于中国科技城——绵阳。主要致力于光通信设备和光通讯芯片的研发、设计、生产及销售;是一家拥有自主研发能力及规模性量产能力的光通信高新技术企业。
梓冠光电自成立以来,持续投入研发,吸纳通信行业技术人才,其中博士占比人数5.7%,本科占比人数22.8%。公司产品日渐邹于多元化,不仅拥有行业水平的光开关、光衰减器、光纤延迟线、偏振控制、MEMS器件、高速光探测器、硅基高速器件、脉冲光纤激光器、飞秒光纤激光器、半导体激光器及光路保护设备(OXC)等产品,公司还为激光雷达系统、量子通讯系统、激光聚变成像传输系统等提供核心的高精端光器件,其中光纤延迟器、光开关、光衰减器系列为核心技术的量产产品,产品技术获得多项认证,其中发明6项,外观,软著,实用性等共16项。
公司拥有超150多家客户,已与华为、中航、中电、中物院、高校及航天等企业、单位达成长期稳定的战略合作;公司先后获得“科技型中小企业” ,“国家高新技术企业” ,“绵阳市文明青年号”,“2016年度诚信创业青年,“军民融合企业”,“2019年度知识产权工作优秀单位”等荣誉称号。
四川梓冠光电科技有限公司坚持科技创新为原则,一直将创新贯穿于企业的核心价值当中,公司强调和谐的企业创新氛围,为每一位员工提供一个广阔的发展平台;在企业内部管理上十分重视团队精神,以团队的共同创造能力推进企业的各项发展,更加系统化、专业化,给客户持续提供优质和全面的服务,使梓冠光通信的产品处在行业
SOI芯片光电探测器阵列
SOI Chip-based Photodetector Array
SOI芯片式光电探测器阵列,该产品基于硅基锗-硅光电探测器,实现了多通道光电探测器的单片化集成,可片上集成光学混频器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相关性小,模拟带宽大,可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
〖性能指标Specifications
参数指标 Parameters
| 单位 Unit | 最小值 Min. | 典型值 Typ.
| 最大值 Max. | 备注 Notes |
波长范围 Wavelength range | nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
| |||
暗电流 Dark current
| nA | 35 | 50 | ||
3 dB模拟带宽 3 dB bandwidth | GHz | 28 | |||
光饱和功率 Optical saturation power | mW | 10 | |||
响应度 Responsibility | A/W | 0.8 | 0.85 | ||
90度光学混频器损耗 90°mixer loss | dB | 6 | 6.5 | 6.7 | |
90度光学混频器相位失衡度 90°mixer phase unbalance | ° | 5 | |||
通道数 Number of channels | 8或可定制 8 or Can be customized | ||||
光纤接入损耗 Insertion loss | dB | ≤0.5 | |||
偏振相关损耗 PDL | dB | ≤0.3 | |||
工作温度范围 Operating temperature range | °C | -20 | 50 | ||
工作湿度范围 Operating humidity range | % | +65 | |||
芯片尺寸 Chip Dimensions | mm | 4(L)×5(W)×0.5(H) |
光电探测器集成度高
SOI芯片光电探测器集成度高
SOI芯片光电探测器集成度高