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ZG-VOA SOI芯片式高速光衰减器
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生产厂家四川梓冠光电科技有限公司成立于2015年8月,位于中国科技城——绵阳。主要致力于光通信设备和光通讯芯片的研发、设计、生产及销售;是一家拥有自主研发能力及规模性量产能力的光通信高新技术企业。
梓冠光电自成立以来,持续投入研发,吸纳通信行业技术人才,其中博士占比人数5.7%,本科占比人数22.8%。公司产品日渐邹于多元化,不仅拥有行业水平的光开关、光衰减器、光纤延迟线、偏振控制、MEMS器件、高速光探测器、硅基高速器件、脉冲光纤激光器、飞秒光纤激光器、半导体激光器及光路保护设备(OXC)等产品,公司还为激光雷达系统、量子通讯系统、激光聚变成像传输系统等提供核心的高精端光器件,其中光纤延迟器、光开关、光衰减器系列为核心技术的量产产品,产品技术获得多项认证,其中发明6项,外观,软著,实用性等共16项。
公司拥有超150多家客户,已与华为、中航、中电、中物院、高校及航天等企业、单位达成长期稳定的战略合作;公司先后获得“科技型中小企业” ,“国家高新技术企业” ,“绵阳市文明青年号”,“2016年度诚信创业青年,“军民融合企业”,“2019年度知识产权工作优秀单位”等荣誉称号。
四川梓冠光电科技有限公司坚持科技创新为原则,一直将创新贯穿于企业的核心价值当中,公司强调和谐的企业创新氛围,为每一位员工提供一个广阔的发展平台;在企业内部管理上十分重视团队精神,以团队的共同创造能力推进企业的各项发展,更加系统化、专业化,给客户持续提供优质和全面的服务,使梓冠光通信的产品处在行业
SOI芯片式高速多通道光衰减器
SOI芯片式高速多通道光衰减器基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减,实现多通道VOA器件单片化集成,芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装,数字化驱动,偏振相关性小,衰减范围大,调节精度高,衰减值稳定,响应时间为纳秒级,可在高速、低时延系统中应用。
SOI芯片式高速光衰减器
SOI芯片式高速光衰减器
〖性能指标Specifications〗
参数指标 Parameters
| 单位 Unit | 最小值 Min. | 典型值 Typ.
| 最大值 Max. | 备注 Notes |
波长范围 Wavelength range | nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm | |||
衰减范围 Attenuation range
| dB | 20 | 25 | 40 | |
插入损耗 Insertion loss | dB | 0.8 | 1.2 | 2 | |
偏振相关损耗 PDL | dB | 0.3 | 0.5 | ||
衰减精度 Attenuation accuracy | dB | ±0.1 | |||
通道数 number of channels
| 8—16或可定制 8—16 or Can be customized | ||||
光功率 Transmission optical power | mW | 80或可定制 80 or Can be customized | |||
芯片级响应时间 Response Time | ns | 30 | 200 | 300 | |
工作温度范围 Operating temperature range | °C | -20 | 50 | ||
驱动电流 drive current
| mAAA | 45 | 60 | 20dB 衰减时 20dB attenuation time | |
驱动电压 drive voltage
| V | 4.2 | 4.5 | 20dB 衰减时 20dB attenuation time | |
工作湿度范围 Operating humidity range | % | +65 | |||
芯片尺寸 Chip Dimensions | mm | 15.5(L)×1.8(W)×0.5(H) |
ZG | 波长 Wavelength | 衰减大小 Attenuation size
| 通道数 Number of channels |
13=1310nm 15=1550nm | 1=20dB 2=40dB
| 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=Other
|
1. 高精度:能够实现对光信号强度的精确调节,满足各种测试和应用需求。
2. 高稳定性:采用优质的光学材料和精密的加工工艺,确保设备在长时间使用过程中仍能保持稳定的性能。
3. 易用性:通常配备直观的操作界面和友好的人机交互设计,使用户能够轻松地进行光信号强度的调节。
4. 广泛的应用范围:适用于光纤通信系统、光纤器件测试与研究、光通信教学与试验等多个领域。