1.  产品概述：

激光尖峰退火设备利用高能激光束对半导体晶圆进行快速加热和冷却处理，以达到激活杂质离子、修复晶格损伤和改善材料性能的目的。该设备结合了激光技术、精密控制技术和热处理工艺，能够在短的时间内对晶圆进行精确的温度控制，实现高效的退火处理。

2.  设备用途/原理：

   1. 半导体制造：在半导体制造过程中，为了形成特定的掺杂结构和提高器件性能，需要对晶圆进行多次离子注入。然而，离子注入过程中会造成晶格损伤，影响杂质离子的电活性。激光尖峰退火设备能够迅速加热晶圆，修复晶格损伤，并激活杂质离子，从而恢复晶圆的电学性能。

   2. 高k金属栅结活化：在高k金属栅CMOS工艺中，激光尖峰退火设备可用于激活金属栅与半导体界面处的杂质离子，提高栅性能，降低漏电流。

   3. 镍硅化物形成：在镍硅化物的形成过程中，激光尖峰退火设备能够快速加热晶圆，促进镍与硅的反应，形成高质量的镍硅化物层，提高器件的导电性能。

3.  设备特点

激光尖峰退火设备具有以下几个显著特点：

1. 瞬时温度高：激光束能够在短的时间内将晶圆加热到高温状态，实现快速退火处理。这种高温作用能够迅速修复晶格损伤并激活杂质离子。

2. 作用时间短：由于激光束的加热作用非常迅速，因此整个退火过程可以在短的时间内完成。这有助于减少热预算并提高生产效率。

3. 热预算低：由于作用时间短且加热均匀性好，激光尖峰退火设备能够降低晶圆在退火过程中的热预算。这有助于减少晶圆因长时间高温加热而产生的热应力和形变。

4. 可选区加工：激光尖峰退火设备能够实现晶圆上的可选区加工。通过精确控制激光束的照射位置和形状，可以对晶圆上的特定区域进行退火处理，而不影响其他区域。这种灵活性使得激光尖峰退火设备在复杂结构的半导体器件制造中具有广泛的应用景。

5. 高精度控制：激光尖峰退火设备采用先进的控制系统和精密的机械结构，能够实现对激光束的精确控制和定位。这有助于确保退火处理的精度和一致性，提高器件的性能和可靠性。

综上所述，激光尖峰退火设备在半导体制造域具有重要的作用和广泛的应用景。随着科技的不断发展和进步，激光尖峰退火设备的技术水平和性能也将不断提高和完善。

4  特色参数：

产地：美国

节点：40nm到140nm

平台：Unity Platform

系统类型：双梁

技术：双光束

精度：亚毫

温度：高达1350°C

加工方式：低温

安装：DM和铸造厂