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FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统
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致力于提供半导体前道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。
公司目前已授实用新型权利 29 项,软件著作权 14 项,是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。
FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料,使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒, 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外,上主轴可以在X或Y方向移动。
产品数据概览:
材料:硅
晶体
晶体拉动长度 350 mm
晶体直径: 最长可达 25 mm
最后真空度: 2.5 x 10-5 mbar
最大过压: 2 bar(g)
发电机
输出电压: 15 kW
频率: 2.4 MHz (FZ-14M)
上轴
进料速度: 最高 30 mm/min
上部旋转: 最高 30 rpm
下轴
拉动速度: 最高 30 mm/min
下部旋转: 最高 30 rpm
尺寸规格
高度: 3,000 mm
宽度: 1,020 mm
深度 1,640 mm
面积(总): 1,800 mm x 4,000 mm
重量(总): 约2,500 kg
区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。
区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。