实现了通用存储器、磁头等磁性材料中使用的B的高灵敏度分析。使用FP法，还可以同时分析膜厚和成分。

可进行超薄膜分析

MgO 薄膜是 MRAM 的重要材料，可以高精度地区分 0.1 nm 的膜厚差异。预计未来薄膜将变得更薄至 0.5 nm 左右，但 AZX 400 将能够进行足够的分析。

多层膜分析

通过使用 FP 方法，AZX 400 可以对最多 10 层层压薄膜进行全层分析。利用 STT-MRAM，可以在一种配方中分析 MgO 和 CoFeB 等重要薄膜以及 Ta、Ru、PtMn 等。

使用灵敏度库进行无标准分析 

使用 SQX 软件（可选）进行半定量分析在标准样品制备困难的应用中非常有效。考虑到晶圆分析的干扰衍射线的影响，并且可以选择多个光谱，从而可以分析比传统方法宽一个数量级的膜厚。

兼容从大型样品到切割晶圆的各种样品形状

采用大样品室，可处理最大尺寸为 φ400mm x 50(H)mm 的样品（最大重量 30kg）。为了适应各种样品形状，我们提供适合样品的适配器。从300mm晶圆的大型溅射靶材到晶圆切割，一台机器即可灵活处理。

使用晶圆装载机自动传输（新功能）

提供 300mm FOUP 至 100mm 开放式盒式磁带（可选）。可以在夜间等进行全自动分析，提高分析工作的效率。

配备CCD相机，用于样品观察

CCD相机（可选）可以测量异物、图案等。您可以在查看图像时设置最小直径为 0.5 mm 的任何测量点。面内分布测量一次最多支持 999 个点。此外，结合高精度样品台，实现了0.1mm步长的分析。

由经过验证的软件提供支持

它基于已在其他型号中采用的软件，并已在数百种设备上使用，并且用户友好且具有多种功能。

获得SEMI标准

该设备经过 SEMI 认证，这是半导体制造应用的使用标准。

AZX 400 应用

・溅射靶材成分
・绝缘膜：SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si₃N₄、SiOF、SiON等。
・高介电常数、铁电膜：PZT、BST、SBT、Ta2O₅、HfSiOx
・金属膜：Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni ETC。
- 电极膜：掺杂多晶硅（掺杂剂：B、N、O、P、As）、非晶硅、WSix、Pt等。
- 其他掺杂薄膜（As、P）、受限惰性气体（Ne、Ar、Kr 等）、C (DLC)
- 铁电薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR。 PCM、GST、GeTe
·焊料凸块成分：SnAg、SnAgCuNi
·MEMS：ZnO、AlN、PZT
·SAW 的厚度和成分 器件工艺：AlN、ZnO、ZnS、SiO₃（压电膜）的厚度和成分 Al、AlCu 、AlSc 、AlTi（电极膜）