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表面光电压JPV\SPV
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晶圆电阻率测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，迁移率测试仪，少子寿命测试仪
公司成立于2021年，是一家注册在苏州、具备技术的非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体，主要攻克国外垄断技术，替代进口产品，使半导体材料测试设备国产化。
主要产品：非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪、方阻测试仪、硅片电阻率测试仪、涡流法高低电阻率分析仪、晶锭电阻率分析仪、涡流法电阻率探头和PN探头测试仪、迁移率（霍尔）测试仪、少子寿命测试仪，晶圆、硅片厚度测试仪、表面光电压仪JPV\SPV、汞CV、ECV。为碳化硅、硅片、氮化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案。
凭借*的技术和丰富的产品设计经验，申请各项知识产权20余项，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。
详细信息
表面光电压法的基本原理12
表面光电压法（Surface Photovoltage Method，简称SPV法）是通过测量由于光照在半导体材料表面产生的表面电压来获得少数载流子扩散长度的方法。其原理是：用能量大于半导体材料禁带宽度的单色光照射在半导体材料表面，在其内部产生电子-空穴对，受浓度梯度驱动扩散至半导体材料近表面空间电荷区的电子和空穴将被自建电场分离，形成光生电压，即表面光电压
表面光电压法的应用和优势
SPV法是表征半导体材料少子扩散长度的主要方法，具有以下优点：
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是一种稳态方法，与时间无关，避免了体内和表面复合对测试结果的影响。
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一般情况下，表面复合过程不影响少子扩散长度的测试结果，表面复合速率只对表面光电压信号强度产生影响，因此无须特殊处理材料的表面。
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是一种无接触的测试方法，测试成本低、易于操作、不容易受到干扰，并且可以实施面扫描（mapping）。
