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uGmni-200/300 日本ULVAC爱发科半导体溅射设备单晶圆复合
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- uGmni-200/300
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详细信息
日本ULVAC爱发科半导体溅射设备单晶圆复合
日本ULVAC爱发科半导体溅射设备单晶圆复合
单晶圆复合模块式
成膜设备uGmni-200, 300
通过在同一个传输核心上安装溅射和蚀刻等多种不同工艺模块并尽可能使用通用组件，我们通过减少备件数量并通过相同操作提高可用性，实现了电子元件制造过程的更高效率我们将意识到这一点。
特征
多个处理室可组合用于溅射、蚀刻、灰化、CVD 等。
*根据工艺的不同，可能无法组合，请咨询我们。
所有处理室均由 ULVAC 制造
兼容最大Φ300mm的基材
用途
下面是一个例子。
功率器件晶种和金属层形成溅射
MEMS 传感器 PZT 成膜及加工蚀刻
光学器件VCSEL加工蚀刻
高密度安装除渣灰化
通信设备 绝缘膜沉积及加工 PE-CVD
规格
*这是每个工艺室的示例。
我们可以向您咨询，不限于以下内容。以下值因规格而异。
| 到达圧力 | 阶段 温度 | 面内分布 （参考值） | 成膜、加工或应用实例 | 等离子源 | |
| 溅 | 6.7E-5Pa以下 | 冷却（冷却性能单独讨论）~700度 | ±1～5% | 金属、介电膜、绝缘膜 | 直流 |
| 脉冲直流 | |||||
| 射频 | |||||
| 蚀刻机 | 1.0E-3Pa以下 | -20~200度 | ±5%以下 | 金属、介电膜、绝缘膜、Si系 | 中国共产党 |
| ISM （感应超级磁控管） | |||||
| NLD （中性环路放电） | |||||
| 引座员 | 0.7Pa以下 | 50-250度 | ±5％ | 除浮渣、除胶渣、牺牲层去除、表面改性、PR去除、PI处理 | 微波 |
| 20-80度 | 微波+CCP | ||||
| 化学气相沉积 | 2Pa以下 | 60-400度 | ±1%以下 | 绝缘膜（SiNx、SiOx） | 阳极耦合 |
| 双频 |
