ThetaMetrisis 自动化薄膜厚度测绘系统介绍
时间：2022-10-19 阅读：1240
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200: 微米级定位精度自动化薄膜厚度测绘系统介绍
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自动薄膜厚度测绘系统，用于全自动图案化晶圆上的单层和多层涂层厚度测量。电动X-Y载物台提供适用尺寸 200mm x 200mm毫米的行程,通过真空固定在载台上时进行精确测量。可依测量厚度和波长范围应用需求可在在 200-1700nm 光谱范围内提供各种光学配置.
应用
o 大学 & 研究实验室
o 半导体（氧化物、氮化物、Si、抗蚀剂等）
o MEMS 器件（光刻胶、硅膜等）
o LED、VCSEL、BAW 、 SAW filter
o 数据存储
o 聚合物涂料、粘合剂等。
o其他各种工业……
（联系我们客制化您的应用需求）
FR-Scanner-AllInOne-Mic-XY200 模块化厚度测绘系统平台，集成了先进的光学、电子和机械模块，用于表征图案化薄膜光学参数。典型案例包括（但不限于）微图案表面、粗糙表面等。
晶圆放置在真空吸盘上，该真空吸盘支持尺寸/直径达 200 毫米的各种晶圆，执行测量光斑尺寸小至几微米的强大光学模块。电动平台提供XY方向 200 毫米的行程，在速度、精度和可重复性方面具有很高的性能.
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200提供：
o 实时光谱反射率测量
o 薄膜厚度、光学特性、不均匀性测量、厚度测绘
o 使用集成的、USB 连接的高质量彩色相机进行成像
o 测量参数的统计数据
特征
o 单击分析（无需初始猜测）
o 动态测量
o 光学参数（n & k、色座標）
o Click2Move 和图案測量位置对齐功能
o 多个离线分析安装
o 免费软件更新
规格
Model | UV/VIS | UV/NIR -EX | UV/NIR-HR | D UV/NIR | VIS/NIR | D VIS/NIR | NIR | NIR-N2 | |
Spectral Range (nm) | 200 – 850 | 200 –1020 | 200-1100 | 200 – 1700 | 370 –1020 | 370 – 1700 | 900 – 1700 | 900 - 1050 | |
Spectrometer Pixels | 3648 | 3648 | 3648 | 3648 & 512 | 3648 | 3648 & 512 | 512 | 3648 | |
Thickness range (SiO2) *1 | 5X- VIS/NIR | 4nm – 60μm | 4nm – 70μm | 4nm – 100μm | 4nm – 150μm | 15nm – 90μm | 15nm–150μm | 100nm-150μm | 4um – 1mm |
10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR* | 4nm – 50μm | 4nm – 60μm | 4nm – 80μm | 4nm – 130μm | 15nm – 80μm | 15nm–130μm | 100nm–130μm | – | |
15X- UV/NIR * | 4nm – 40μm | 4nm – 50μm | 4nm – 50μm | 4nm – 120μm | – | – | 100nm-100μm | – | |
20X- VIS/NIR 20X- UV/NIR * | 4nm – 25μm | 4nm – 30μm | 4nm – 30μm | 4nm – 50μm | 15nm – 30μm | 15nm – 50μm | 100nm – 50μm | – | |
40X- UV/NIR * | 4nm – 4μm | 4nm – 4μm | 4nm – 5μm | 4nm – 6μm | – | – | – | – | |
50X- VIS/NIR | – | – | – | – | 15nm – 5μm | 15nm – 5μm | 100nm – 5μm | – | |
Min. Thickness for n & k | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm | 100nm | 100nm | 500nm | – | |
Thickness Accuracy **2 | 0.1% or 1nm | 0.2% or 2nm | 3nm or 0.3% | ||||||
Thickness Precision **3/4 | 0.02nm | 0.02nm | <1nm | 5nm | |||||
Thickness stability **5 | 0.05nm | 0.05nm | <1nm | 5nm | |||||
Light Source | Deuterium & Halogen | Halogen (internal), 3000h (MTBF) | |||||||
Min. incremental motion | 0.6μm | ||||||||
Stage repeatability | ±2μm | ||||||||
Absolute accuracy | ±3μm | ||||||||
Material Database | > 700 different materials | ||||||||
Wafer size | 2in-3in-4in-6in-8in | ||||||||
Scanning Speed | 100meas/min (8’’ wafer size) | ||||||||
Tool dimensions / Weight | 700x700x200mm / 45Kg | ||||||||
测量区域光斑（收集反射信号的区域）与物镜和孔径大小有关 | 物镜 | Spot Size (光斑) | ||
放大倍率 | 500微米孔径 | 250微米孔径 | 100微米孔径 | |
5x | 100 μm | 50 μm | 20 μm | |
10x | 50 μm | 25 μm | 10 μm | |
20x | 25 μm | 15 μm | 5 μm | |
50x | 10 μm | 5 μm | 2 μm | |
Principle of Operation 测量原理
White Light Reflectance Spectroscopy (WLRS) 白光反射光谱是测量从单层薄膜或多层薄膜堆叠结构的一个波长范围内的反射量，入射光垂直于样品表面，由于界面干涉产生的反射光谱被用来计算确定（透明或部分透明或*反射基板上）薄膜的厚度、光学常数（N&K）等。
*1规格如有变更，恕不另行通知，*2与校正过的光谱椭偏仪和x射线衍射仪的测量结果匹配，*3超过15天平均值的标准偏差平均
值，样品:硅晶片上1微米SiO2，*4标准偏差100次厚度测量结果，样品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天内每日平均值的2*标准差。样品:硅片上1微米SiO2。