微波探测光致电流瞬态谱仪采用微波技术探测材料的光生电流瞬态光谱值,非常适合温度依赖的少子寿命测量和半导体界面陷阱。
微波探测光致电流瞬态谱仪特点灵敏度：对半导体材料电学缺陷有最高灵敏度
温度范围：液氮(77k)至500k。可选:液氦(4k)或更高温度
衰减常数范围：20纳秒到几毫秒
沾污检测：电学陷阱基本性能确定：激活能和陷阱的俘获截面，受温度和注入水平影响的少子寿命参数等
重复性精度：> 99.5%，测量时间：< 60分钟。液氮消耗：2升/次
灵活性：从365 nm 到1480nm，根据不同材料选择不同波长激发光源
可访问性：基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支持
