应用领域

型号

特性

半导体

NR9-PY

用于lift-off工艺，高黏附性、高效，耐高温

NR71-PY

用于lift-off工艺，高温，可作为间隔材料

NR9-P

高黏附性，适用于电镀和湿法刻蚀

NR71-P

做掩膜，适用于干法刻蚀，可作为间隔材料

NR21-P

100um的膜厚，具有良好的分辨率

NR5

可作厚膜掩膜，适用于离子刻蚀

PR1

耐高温，用于一般图案的正性光刻胶，离子刻蚀，湿法刻蚀

IC1/DC5

滤波等电解质材料

PC3

平坦化，临时黏附及机械保护

BDC1/PDC1/ZPDC1

掺杂工艺

太阳能

BDC1

掺硼材料

PDC1

掺磷材料

NR71/NR9-PY

用于lift-off工艺，高黏附性、高效，耐高温/做间隔材料

NR9-P

高黏附性，适用于电镀和湿法刻蚀

LED/OLED/HBLED

NR9-PY

用于lift-off工艺，高黏附性、高效，耐高温

NR71-P

做掩膜，适用于干法刻蚀，可作间隔材料

IC1

滤波等电解质材料

MEMS

NR9-P

高黏附性，适用于电镀和湿法刻蚀

NR5/NR71

可作厚膜掩膜，适用于离子刻蚀/做掩膜，可作间隔材料

NR2

可实现120um膜厚，6：1深宽比的图案，适用于电镀、湿法刻蚀

NR71/NR9-PY

用于lift-off工艺，高黏附性、高效，耐高温/做间隔材料

PC3

平坦化，临时黏附及机械保护

IC1

滤波等电解质材料

微流体与生物芯片

NR71-P

做掩膜，适用于干法刻蚀，可作间隔材料

NR2

可实现120um膜厚，6：1深宽比的图案，适用于电镀、湿法刻蚀

NR5

可作厚膜掩膜，适用于离子刻蚀

光电子

NR71/NR9-PY

用于lift-off工艺，高黏附性、高效，耐高温/做间隔材料

NR71-P

做掩膜，适用于干法刻蚀，可作间隔材料

PR1

刻蚀制程中的正性光刻胶，适用于喷涂和辊涂

NR9-P

高黏附性，适用于电镀和湿法刻蚀

NR2-P

可实现100um膜厚的凹凸图案，分辨率好，易于去胶

封装

NR2-P

可实现100um膜厚的凹凸图案，分辨率好，易于去胶

NR5

可作厚膜掩膜，适用于离子刻蚀

PR1

刻蚀制程中的正性光刻胶，适用于喷涂和辊涂

平坦化

PC3

平坦化，临时黏附及机械保护

图案印刷

PR1

刻蚀制程中的正性光刻胶，适用于喷涂和辊涂

NR9

增强了黏附性，适用于喷涂和辊涂

显影液

RD6

显影时间短，适用于正、负性光刻胶，

去胶液

RR41/RR5

可以安全、高效的去除光刻胶及临时涂层，适用于多种衬底材料

边胶清洗液

EBR2

高效、快速的边胶去除