一、C2GR16-气相沉积炉基本原理与特点

1.基本原理：
热诱导化学气相沉积(英语:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各种电介质,半导体和金属材料的保护涂层的沉积的有力方式，无论是单晶，多晶，无定形或外延状态上或大或小的形态。典型的涂层材料包括热解碳，碳化硅，氮化硼。通过使用合成前体，涂层非常纯净并目满足半导体工业的典型要求，根据工艺参数，可以有多种层厚度，从单个或几个原子层到厚度从10纳米到数百微米的固体保护层或功能层，以及厚度达100微米的单片部件，甚至高达数毫米。

2.设备特点：
（1）采用卧式、侧开门结构，装、卸料精度高，操作方便；
（2）采用先进的控制技术，能精密控制MTS的流量和压力，炉膛内沉积气流稳定，压力波动范围小；
（3）温度均匀性好，平均温度均匀性为±5℃；
（4）采用多通道沉积气路，流场均匀，无沉积死角，沉积效果好；
（5）全封闭沉积室，密封效果好，抗污染能力强；
（6）安全性能好，采用HMI+PLC+PID程序控制，安全可靠；
（7）对沉积产生的高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物能进行有效处理；
（8）多级高效尾气处理系统，环境友好，能高效收集焦油及副产物，易清理；
（9）采用设计防腐蚀真空机组，持续工作时间长，维修率极低。

二、C2GR16-气相沉积炉主要技术参数：