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GaN薄膜

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产品简介

氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。

产品名称：

氮化镓(GaN)薄膜

产品简介：

技术参数：

常规尺寸	dia50.8±1mm x 4um,10-25um. dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。
产品定位	C轴<0001>±1°
传导类型	N型；半绝缘型；P型
电阻率	R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>10⁶Ohm-cm
位错密度	<1x10⁸Cm^-2
表面处理(镓面)	AS Grown
有效值	<1nm
可用表面积	>90%

标准包装：

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

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