霍尔效应测量系统 L79/HCS 介绍：

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（zui高温度可达240°C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。

基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V和I-R数据图。

系统可测试多种材料包括Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型或P型均可测量),金属膜,氧化物等,样品测试时便可完成系统功能演示。

霍尔效应测量系统 L79/HCS 特点：

•载流子浓度

•电阻率

•迁移率

•电导率

•α(水平电阻值/垂直电阻值)

•霍尔常数

•磁致电阻

技术参数：

输入电流:500nA到10mA (500nA步长)

霍尔电压:0.5到4.5V

极限分辨率:65pV

样品形状:15x15,20x20,25x25mm,高度可达5mm

磁场强度:可达 1T

传感器:液氮温度到240°C