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我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍，并解决了物料不均匀堆积现象。
与传统CVD系统比较，生长温度更低。
使用滑轨炉实现快速升温和降温。
设备*的技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长。
主要特点：
1.薄膜沉积速率高：射频辉光技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S；
2. 大面积均匀性高：采用了先进的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%；
3. 一致性高：用半导体行业的先进设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%；
4. 工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定；
技术参数：
1、单温区加热系统：
最高温度 | 1200 |
使用温度 | 1100 |
炉膛有效尺寸 | Φ60*1650mm |
炉膛材料 | 氧化铝、高温纤维制品 |
热电偶类型 | K |
控温精度 | 1 |
控温方式 | 30段可编程控温，PID参数自整定， ‚操作界面为10”工控电脑，内置PLC控制程序， ƒ可将温控系统、滑轨炉滑动（时间和距离）设定为程序控制。 |
加热长度 | 440mm |
恒温长度 | 200mm |
加热原件 | 电阻丝 |
供电电源 | 220V |
额定功率 | 3KW |
2、PE射频电源：
该CVD系统可配备PE射频电源，将CVD系统升级为PECVD。当参与反应的气氛进入炉管在射频电源的作用下产生离子体，可使反应更加充分。同时等离子体起增强的作用，从而很大程度上优化实验的工艺条件。
信号频率 | 13.56 MHz±0.005% |
功率输出范围 | 500W |
射频输出接口 | 50 Ω, N-type, female |
功率稳定度 | ±0.1% |
谐波分量 | ≤-50dbc |
供电电压 | 单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ |
整机效率 | >=70% |
功率因素 | >=90% |
冷却方式 | 强制风冷 |
3、五路质子流量控制系统：
供气系统是一种可控制4种气体按不同流量进行混合配比，也可根据实验需求加装洗气装置，质量流量计安装于密封的可移动机柜内，由超洁双抛不锈钢管与精密双卡套接头连接组成，触摸屏控制。
连接头类型 | 双卡套不锈钢接头 |
标准量程 | 氩气：1000sccm 氢气：300sccm 甲烷：100sccm 氮气：500sccm 氧气：100sccm |
准确度 | ±1.5% |
线性 | ±0.5～1.5% |
重复精度 | ±0.2% |
响应时间 | 气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec |
工作压差范围 | 0.1～0.5 MPa |
最大压力 | 3MPa |
接口 | Φ6或者1/4''可选 |
显示 | 4位数字显示 |
工作环境温度 | 5~45高纯气体 |
压力真空表 | －0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
4、真空机组：
真空机组，内部安装双极旋片机械泵1台，电容真空计1套，并含有配套使用的波纹管，手动挡板阀，卡箍等连接部件。设备冷态极限真空可达0.5Pa。
工作电电压 | 220V |
功率 | 1 |
抽气速率 | 16m³/h |
极限真空 | 0.5Pa |
进气口口径 | KF25 |
排气口口径 | KF25 |
连接方式 | 采用波纹管，手动挡板阀与波纹管相连 |
电容真空计 | ZDM-I( 5-5000pa 不需因测量气体种类不同而需要系数转换。具有较高的精确度和重复性，响应时间较短。 |
5、压力控制系统：
压力控制系统主要部件蝶阀、压力控制器、电容真空计组成。
压力控制系统的作用：根据实验要求，在出气端和泵之间增加蝶阀（调节阀）和真空计，真空计可检测管内压力，通过 PLC 调节蝶阀（调节阀）开启的大小，以达到控制管内压力不变。
压力可范围：100~100000Pa
控制精度：测量值±5%
