硅晶块方阻电阻率测试仪厂家

本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料

参数资料

1.方块电阻范围：10^-4～2×10³Ω/□

2.电阻率范围：10^-5～2×10⁴Ω-cm

3.测试电流范围：10μA，100µA，1mA，10mA，100 mA

4.电流精度：±0.2%读数

5.电阻精度：≤0.3%

6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率

7.测试方式: 双电测量

8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W

9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）

10.选购功能: 选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台

11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格; 探针材质选购：碳化钨针;白钢针；镀金磷铜半球形针

硅晶块方阻电阻率测试仪厂家

功能描述Description：

• 四探针组合双电测量方法
• 液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.
• 集成电路系统、恒流输出.
• 选配：PC软件进行数据管理和处理.
• 提供中文或英文两种语言操作界面选择

参照标准：

1.硅片电阻率测量的标准（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.