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硅单晶/多晶中氧碳含量自动测量系统的氧碳含量技术参数符合(符合国家GB/T1557-2006)(符合国家GB/T1558-2009)
测试方法:把测量样品用硅片固定架放入仪器样品室,开始测量,计算机读取1107CM-1,SI-O-SI带特征吸收峰和607CM-1, C-SI带特征吸收峰,由峰高法计算出硅单晶中氧碳含量. 测量硅片厚度:0.04-4.0MM, 硅片检测下限:1.0X1016CM-3(常温)
类 别 | 仪 器 名 称 | 型 号 | 技 术 参 数 及 配 置 | 数 量 |
系统 | 硅单晶/多晶中氧碳含量自动测量系统及反型N/P硅外延层厚度测量系统F-650 | 氧碳 | 1.用于硅晶体中间隙中氧、碳含量测量。检测下线1.0x 符合国家标准(GB/T1557-2006)氧,(GB/T1558-2009)碳。 2.反型N/P硅外延层厚度的红外干涉测量。(2009年第16届全国半导体、硅材料学术会议的论文) 光谱范围:4000~ 信噪比:15000:1p-p值(测试条件:DTGS检测器在 光 源:长寿命高强度空气冷却红外光源(国外进口) | 1套 |
操作系统 | 系统功能 | | 用户登录功能 自我诊断功能 提供操作及数据处理软件,*升级软件 智能湿度提醒装置:无需开机可以更换干燥保护装置,无需开机可以调节仪器能量 | 1套 |
附 件 | 硅片样品固定工具 | | | 1套 |
检测软件 | | 符合国家标准(GB/T1558-2009),(GB/T1557-2006) | 1套 | |
标准硅片 | | 符合国家标准(GB/T1557-2006)标准硅片 | 1套 | |
电脑及打印机 | | 可通过打印机输出结果及报告 | 1套 |