Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE

Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-12-02 10:19:52
2207
属性:
测量速度:2min;产地类别:进口;单次测量时间:2s;光斑尺寸:50 µmmm;光谱范围:190 nm - 1700 nmnm;膜厚测量准确度:±1.0至NIST可追溯标准氧化物100至两个1µmnm;应用领域:石油,电子,综合;光源:调节氘卤素灯;
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产品属性
测量速度
2min
产地类别
进口
单次测量时间
2s
光斑尺寸
50 µmmm
光谱范围
190 nm - 1700 nmnm
膜厚测量准确度
±1.0至NIST可追溯标准氧化物100至两个1µmnm
应用领域
石油,电子,综合
光源
调节氘卤素灯
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上海尔迪仪器科技有限公司

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产品简介

Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE
FilmTek™ 6000标准杆数-SE先进的多模薄膜计量系统在1x nm设计节点和更高的位置为广泛的薄膜层提供生产验证的薄膜厚度、折射率和应力测量监测。该系统能够在新一代集成电路的生产过程中实现更严格的过程控制,提高器件产量,并支持下一代节点技术的开发。

详细介绍

Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE

——用于IC器件开发和制造的先进多模薄膜计量学

Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE


FilmTek™ 6000标准杆数-SE先进的多模薄膜计量系统在1x nm设计节点和更高的位置为广泛的薄膜层提供生产验证的薄膜厚度、折射率和应力测量监测。该系统能够在新一代集成电路的生产过程中实现更严格的过程控制,提高器件产量,并支持下一代节点技术的开发。


制造1x nm的先进IC器件需要使用高度均匀的复合膜。能够监测非常薄的薄膜的计量工具,通常在多层膜堆叠中(例如,高k和氧化物-氮化物-氧化物膜),使制造商能够保持对膜构建过程的严格控制。此外,一些工艺,如多重图案化,会导致薄膜厚度的梯度,必须对其进行监控,以获得佳器件性能(例如,注入损伤和低k薄膜)。不幸的是,现有的计量工具依赖于传统的椭偏测量或反射测量技术,其检测这些应用的薄膜梯度变化的能力有限。


为了克服这些挑战,FilmTek 6000标准杆数-SE将光谱椭圆偏振仪和DUV多角度极化反射仪与宽光谱范围相结合,以满足与多图案和其他前沿器件制造技术相关的需求。该系统采用我们多角度差分偏振(MADP)和差分功率谱密度(DPSD)技术,可独立测量薄膜厚度和折射率,显著提高其对薄膜变化的灵敏度,尤其是多层堆叠中的变化。这种组合方法对于用于复杂器件结构的超薄和厚膜叠层都是理想的。


Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE

技术规格


膜厚范围0 Å to 150 µm
膜厚精度±1.0至NIST可追溯标准氧化物100至两个1µm
光谱范围190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
光斑尺寸的测量50 µm
样本量2 mm - 300 mm (150 mm standard)
光谱分辨率0.3 nm - 2nm
光源调节氘卤素灯(寿命2000小时)
探测器类型2048像素索尼线阵CCD/512像素冷却滨松InGaAs CCD阵列(NIR)
电脑带Windows的多核处理器™ 10操作系统
测量时间每个场地约2秒(如氧化膜)

性能规格


Film(s)  测量参数精确 ()
氧化物/硅0 - 1000 Åt0.03 Å
1000 - 500,000 Å         t0.005%
1000 Åt , n0.2 Å / 0.0001
15,000 Åt , n0.5 Å / 0.0001
150.000 Åt , n1.5 Å / 0.00001
氮化物/硅200 - 10,000 Åt0.02%
500 - 10,000 Åt , n0.05% / 0.0005
光致抗蚀剂/硅200 - 10,000 Åt0.02%
500 - 10,000 Åt , n0.05% / 0.0002
多晶硅 / 氧化物/硅200 - 10,000 Åt Poly , t Oxide        0.2 Å / 0.1 Å
500 - 10,000 Åt Poly , t Oxide0.2 Å / 0.0005



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