Bruker椭偏仪FilmTek 2000 PAR-SE_椭偏仪-上海尔迪仪器科技有限公司手机版

详细介绍

Bruker椭偏仪FilmTek 2000 PAR-SE

——用于几乎所有先进薄膜或产品晶片测量的先进多模计量

Bruker椭偏仪FilmTek 2000 PAR-SE

FilmTek™ 2000标准杆数-SE光谱椭圆偏振仪/多角度反射仪系统结合了专有的FilmTek技术，为从研发到生产的几乎所有先进薄膜测量应用提供了业界精度、精度和多功能性。其标准的小点测量尺寸和模式识别能力使该系统成为表征图案化薄膜和产品晶片的理想选择。

作为我们组合计量产品线（“标准杆数-SE”）的一部分，FilmTek 2000标准杆数-SE能够地满足主流应用所需的平均厚度、分辨率和光谱范围之外的测量要求，并由标准仪器提供。

它在超薄到薄膜（特别是多层堆叠中的薄膜）上提供了异常精确和可重复的厚度和折射率测量。此外，与传统的椭偏仪和反射仪相比，该系统对这些样品中的不均匀性更加敏感。这是FilmTek 2000标准杆数-SE多模设计的结果，该多模设计将基于高性能旋转补偿器的光谱椭圆偏振仪与我们的多角度差分偏振测量（MADP）和差分功率谱密度（DPSD）技术、扩展/宽光谱范围DUV多角度偏振反射仪、我们抛物面镜光学设计相结合，以及先进的Filmtek软件。

允许同时确定：
·多层厚度
·折射率[n（λ）]
·消光（吸收）系数[k（λ）]
·能带隙
·成分（例如，SiGex中的Ge百分比、GaxIn1-xAs中的Ga百分比、AlxGa1-xAs中的Al百分比等）
·表面粗糙度
·组分，空隙率
·结晶度/非晶化（例如多晶硅或GeSbTe薄膜）
·薄膜梯度

系统组件：

标准：

可选：

旋转补偿器设计的椭圆偏振光谱法（295nm-1700nm）
多角度偏振光谱反射（190nm-1700nm）
独立测量薄膜厚度和折射率
多角度差分偏振（MADP）技术与SCI的差分功率谱密度（DPSD）技术
非常适合测量超薄薄膜（天然氧化物的重复性为0.03Å）
用于成像测量位置的摄像机
模式识别
50微米光斑尺寸
高级材料建模软件
具有高级全局优化算法的Bruker广义材料模型

各向异性测量（nx、ny、nz）的广义椭圆偏振法（4×4矩阵泛化法）
盒式到盒式晶片处理
FOUP和SMIF兼容
模式识别（Cognex）
SECS/GEM

Bruker椭偏仪FilmTek 2000 PAR-SE典型应用领域：
几乎所有厚度从小于1Å到约150µm的半透明膜都可以高精度测量。典型应用领域包括：
硅半导体
复合半导体
LED/OLED
具有灵活的硬件和软件，可以轻松修改以满足客户需求，特别是在研发和生产环境中。

膜厚范围	0 Å to 150 µm
膜厚精度	±1.0 Å for NIST traceable standard oxide 100 Å to 1 µm
光谱范围	190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
光斑尺寸的测量	25 µm - 300 µm (normal incidence); 2 mm (70°)
样本量	2 mm - 300 mm (150 mm standard)
光谱分辨率	0.3 nm - 2nm
光源	Regulated deuterium-halogen lamp (2,000 hrs lifetime)
探测器类型	2048 pixel Sony linear CCD array / 512 pixel cooled Hamamatsu InGaAs CCD array (NIR)
带自动聚焦的自动舞台	300 mm (200 mm is standard)
电脑	Multi-core processor with Windows™ 10 Operating System
测量时间	<1 sec per site (e.g., oxide film)

性能规格

Film(s)	厚度	测量参数	精确 (1σ)
氧化物 / 硅	0 - 1000 Å	t	0.03 Å
	1000 - 500,000 Å	t	0.005%
	1000 Å	t , n	0.2 Å / 0.0001
	15,000 Å	t , n	0.5 Å / 0.0001
	150.000 Å	t , n	1.5 Å / 0.00001
氮化物 /硅	200 - 10,000 Å	t	0.02%
氮化物 /硅	500 - 10,000 Å	t , n	0.05% / 0.0005
光刻胶 /硅	200 - 10,000 Å	t	0.02%
光刻胶 /硅	500 - 10,000 Å	t , n	0.05% / 0.0002
多晶硅 / 氧化物 /硅	200 - 10,000 Å	t Poly , t Oxide	0.2 Å / 0.1 Å
多晶硅 / 氧化物 /硅	500 - 10,000 Å	t Poly , t Oxide	0.2 Å / 0.0005

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