IBE离子束刻蚀系统

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。

NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品特点：

• 14.5"不锈钢立体离子束腔体
• 16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板
• 离子束中和器
• 氩气MFC
• 6"水冷样品台
• 晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机
• 步进电机控制晶圆片倾斜
• 手动上下载晶圆片
• 典型刻蚀速率：铜200 Å/min, 硅：500 Å/min
• 6"范围内，刻蚀均匀度+/-3%
• 极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）
• 配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr
• 磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
• 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
• 菜单驱动，4级密码访问保护
• 完整的安全联锁

 Features：

• 14.5" SS Cube ion beam chamber
• 16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shutters
• Ion Beam neutralizer
• Ar MFC
• Chilled water cooled 6" substrate platen
• Wafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motor
• Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal
• Manual wafer load/unload
• Typical Etch Rates: 200 Å/min Cu, 500 Å/min Si
• +/-3% etch uniformity over 6“ area
• 5x 10^-6 Torr < 20 minutes <2 x10^-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo
• 8x10^-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump
• Magnetron Sputtering of Si₃N₄ to protect etched metal surfaces from oxidation
• PC Controlled with LabVIEW Software
• Recipe Driven, Password Protected
• Fully Safety Interlocked