定制二维二硫化钼MoS2纳米复合材料

二硫化钼具有1T MoS2、1H MoS2、2H MoS2和3R MoS2多种晶体结构。半导体性2H相二硫化钼的电导率低(10?4 S/cm)。虽然金属性1T相二硫化钼具有较好的电容器性能(质量比电容350-400 F/g, 体积比电容400-700 F/cm3, 但1T MoS2是热力学亚稳相，制备较为困难，其电导率(10?100 S/cm)比碳材料(1000 S/cm或更高)低1-2个数量级。此外，二硫化钼纳米片之间易堆叠，目前大多数二硫化钼基电容器都表现出相对较低的质量比电容或体积比电容。1T和2H MoS2在负极化下分别表现出14.9 μF/cm2和1.39 μF/cm2的固有电容值。 

定制二维二硫化钼MoS2纳米复合材料

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