电源CLR6212SQA内置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器

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概述

CLR6212SQA是一款内置N型功率MOSFET的同步整流控制器。适用于DCM和QR工作模式的电源系统。用于替换反激系统中次级整流肖特基二极管。CLR6212SQA内置电压降极低的功率MOSFET以提高系统效率并降低同步整流芯片温度。内置MOSFET工作在开关状态，当芯片检测到VSW<-300mV时MOSFET打开，当芯片检测到VSW>-5mV时MOSFET关闭。芯片zui大限度地减少了系统元件数目并采用SOP8封装，这些使得CLR6212SQA能够减小系统所占空间。

电源CLR6212SQA内置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器

特性

◆ 内置12mΩ(Typ.) 45V N-MOSFET

◆ 适用于DCM和QR工作模式

◆ 消除谐振干扰

◆ 连接简单，外围器件少

◆ 欠压保护（UVLO）

应用范围

◆ 电池充电器和适配器

封装形式：

CLR6212SQA采用SOP8封装

控制器

典型应用

打标说明及管脚分布

管脚描述

zui大额定值(注1)

参数范围

VDD脚电压-0.3 V to 9V

VSW脚电压-2V to 45V

功耗2.5W

zui低/zui高存储温度Tstg -65 ℃to 150 ℃

工作结温范围-40 ℃to 150 ℃

封装耗散等级

封装RθJA (℃/W)

SOP8 90

注1: 超出“zui大额定值”可能损毁器件。长时间运行在zui大额定条件下可能会影响器件的可靠性。

*工作范围

符号参数范围单位

SW 20~45 V

VDD 7~9 V

Operation Junction Temp -40~125 ℃

电气特性（注2）

(如果没有特殊说明,环境温度= 25℃)

符号参数测试条件zui小值典型值zui大值单位

电源电压(VCC电压)

VUVLO VDD欠压保护阈值电压3.6 V

VDD VDD电压VSW=40V，CvDD=0.1uF 7.8 V

IOP VDD工作电流VDD=6V，CvDD=0.1uF 44 56 68 uA

VDD_START 启动管充电电压3.85 V

SW端电压检测

VTH_ON 检测VSW脚开启阈值-300 mV

VTH_OFF 检测VSW脚关断阈值-5 mV

TON_DELAY 开通延迟190 ns

TOFF_DELAY 关断延迟10 ns

TB MOS开启消隐时间500 ns

TOFF_MIN MOSzui小关断时间2.5 us

功率管

Rdson 功率管导通阻抗VGS=4.5V,IDS=30A 12 17 mΩ

BVdss 功率管击穿电压VGS=0V,IDS=250uA 45 V

注2:典型参数值为25℃下测试得到的参数标准。

使用说明

CLR6212SQA是一款高集成度的同步整流控制芯片，内置电压降极低的N-MOSFET，可以提高系统效率。

●启动

CLR6212SQA具有UVLO功能，当VDD电压高于VDD_START，IC从锁存模式切换到正常工作模式，当VDD电压低

于VUVLO(ON),IC再次进入锁存模式，此时MOSFET的驱动信号被拉低。

●同步工作模式

芯片通过检测VSW来控制功率MOSFET的开关实现同步整流功能。当芯片检测到VSW<-300mV时，MOSFET打开，

副边开始续流，MOSFET的导通压降会使得VSW电位线性升高，当芯片检测到VSW>-5mV时MOSFET的GATE电位在

TOFF_DELAY后变低，MOSFET关闭。

●消隐时间

当功率MOSFET打开时，副边漏感和MOSFET的输出电容产生振荡，容易使VSW的电压大于-5mV，引起MOSFET

的误关断，为了避免该现象，芯片内部设定一个固定的消隐时间，在消隐时间内即使VSW大于-5mV，MOSFET也不会

误关断。

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封装说明：SOP8