等离子刻蚀机(Plasma Etcher)是一种常用于微纳米加工领域的设备，用于对半导体器件、光学元件、生物芯片等材料进行精细加工和图案定义。其原理基于等离子体技术，通过将气体放电产生等离子体，利用等离子体中的离子和自由基对材料表面进行化学反应和物理刻蚀。工作原理：
1.将气体(如氟化气体)引入反应室，通过射频(RF)功率源或微波源等方式对气体进行放电。放电过程中产生的电场和能量激发气体分子，形成等离子体。
2.气体分子被激发成离子、电子和自由基等活性物种。这些活性物种对材料表面发生化学反应，如氟化、氧化、硅化等，从而改变表面化学性质。
3.离子和自由基对材料表面施加能量，导致材料表面原子或分子的脱除。这种物理刻蚀过程使材料表面逐渐被剥离，实现对材料的精细加工和图案定义。
4.通过控制气体种类、放电功率、反应室压力等参数，可以实现对不同材料的选择性刻蚀。例如，可以实现对硅、氮化硅、氧化硅等材料的选择性刻蚀。
5.通常还配备真空系统、温度控制系统、气体流控制系统等辅助功能，以确保刻蚀过程的稳定性和可控性。
CCP等离子刻蚀机WINETCH是面向科研及企业研发客户使用需求设计的高性价比CCP等离子体系统。作为一个多功能系统，它通过优化的系统设计与灵活的配置方案，获得高性能CCP刻蚀工艺。该设备结构紧凑占地面积小，业的机械设计与优化的自动化操作软件使该设备操作简便、安全，且工艺稳定重复性佳。
CCP刻蚀是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于半导体器件制造、光学器件制造，生物芯片制造等域。其原理是利用高频交变电场产生等离子体，在等离子体的作用下将材料表面进行化学反应和物理碰撞，从而实现对材料的刻蚀。
CCP等离子刻蚀机WINETCH刻蚀系统通过电容耦合(CCP)方式产生高密度等离子体，按掩膜(例如光刻胶掩膜)图形、实现对介质材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的选择性刻蚀。
CCP系统主要由以下几部分组成：反应腔室、下电 、喷淋头(上电)、射频电源、真空系统、预真空室、气路系统、控制系统与软件、配套附件等。
WINETCH等离子刻蚀机产品特点：
-刻蚀形貌好、工艺性能*
-高选择比、高刻蚀速率
-低拥有成本和消耗成本
WINETCH等离子刻蚀机技术参数：
晶圆尺寸：6/8寸兼容
适用工艺：等离子体刻蚀
适用材料：SiO2，Si3N4，etc.适用域:化合物半导体、MEMS、功率器件、科研等域
