深圳市三佛科技有限公司 供应 20V SOT-23 PMOS 贴片MOS，原装，库存现货热销

 HN3415参数：-20V -4A SOT-23 P沟道  MOS管/场效应管  带ESD静电保护
品牌：HN
型号：HN3415D
主要参数：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封装：SOT-23
ESD保护：1500V
HN3415D原装现货，HN3415D优势热销

HN3415D采用*的沟道技术，提供优良的RDS（开），低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适用于负载开关或脉宽调制应用。它是防静电的
应用：脉宽调制应用，负载开关，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD额定值：2500V hbm●高功率和电流处理能力●获得无铅产品●表面安装包

 HN3415D广泛运用于电源，充电头，控制板，计算机，家电，通讯设备等产品上。

售后：免费提供样品，和产品技术支持。
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HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

 场效应管工作原理：就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

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