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深圳市三佛科技有限公司 供应 20V 3A SOT-23 PMOS 华能HN2301,原装,库存现货热销
HN2301参数: -20V -3A SOT-23 P沟道 MOS管/场效应管
品牌:HN
型号:HN2301GN
VDS: -20V
IDS: -3A
封装:SOT-23
沟道: P沟道
HN2301GN原装现货,HN2301GN优势热销
HN2301GN泛运用于电源,充电头,控制板,计算机,家电,通讯设备等产品上
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HN2301可以替代:CJ2301,AO2301,AP2301GN,PL2301,NCE2301E,AP2301EN,si2301,NCE2301C,AP2301BGN-HF,NCE2301E。
【20V MOS N/P沟道】
HN3415: -20V -4A SOT-23 P沟道 MOS管
HN2300: 20V 5.2A SOT-23 N沟道 MOS管
HN2301GN: -20V -3A SOT-23 P沟道 MOS管
场效应管工作原理:就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。
20V 3A SOT-23 PMOS 华能HN2301 产品热销