20V N沟道MOS 20V 5.2A 替代AO2300

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2021-04-27 17:57:20
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产地类别:国产;应用领域:电子;
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产品简介

深圳市三佛科技有限公司 供应 20V N沟道MOS 20V 5.2A 替代AO2300,HN2300 原装,库存现货热销

详细介绍

深圳市三佛科技有限公司 供应 20V N沟道MOS 20V 5.2A 替代AO2300,HN2300原装,库存现货热销

 HN2300参数:    20V 5.2A  SOT-23          N沟道 MOS管/场效应管
品牌:HN
型号:HN2300
VDS: 20V
IDS: 5.2A
封装:SOT-23
沟道:N沟道
HN2300原装现货,HN2300优势热销
售后服务:公司免费提供HN2300样品,并提供HN2300产品运用的技术支持。
HN2300可以替代AO3414,AO3416,AO3420,AO3438,AO3494,CJ2300,AO2300,AP2301GN。

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 【20V MOS N/P沟道】
HN3415:    -20V -4A SOT-23          P沟道 MOS管
HN2300:    20V 5.2A  SOT-23          N沟道 MOS管
HN2301GN:  -20V -3A SOT-23       P沟道 MOS管
90N02 : 20V  90A  TO-252 N沟道 MOS场效应管
SLD90N02T:20V   90A TO-252   N沟道  MOS管

 

 绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管(MOS管)的分类:绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管,简称MOS场效应管。
 

 3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的工作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型

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