深圳市三佛科技有限公司 供应 20V 4A MOS P管 HN3415，原装，库存现货热销

 HN3415参数：-20V -4A SOT-23 P沟道  MOS管/场效应管  带ESD静电保护
品牌：HN
型号：HN3415D
主要参数：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封装：SOT-23
ESD保护：1500V
HN3415D原装现货，HN3415D优势热销。

HN3415D采用*的沟道技术，提供优良的RDS（开），低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适用于负载开关或脉宽调制应用。它是防静电的
应用：脉宽调制应用，负载开关，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD额定值：2500V hbm●高功率和电流处理能力●获得无铅产品●表面安装包

 HN3415D广泛运用于电源，充电头，控制板，计算机，家电，通讯设备等产品上。

售后：免费提供样品，和产品技术支持。
阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服
HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

场效应管的检测步骤如下：

（1）首先观察待测场效应管外观，看待测场效应管是否完好，如果存在烧焦或针脚断裂等情况说明场效应管已发生损坏，如图1所示，本次待测的场效应管外型完好没有明显的物理损坏。

（2）待测场效应管外型完好没有明显损坏需进一步进行测量，用一小镊子夹住待测场效应管用热风焊台将待测场效应管焊下。

（3）将场效应管从主板中卸下后，须用小刻刀清洁待测场效应管的引脚，如图2所示。去除引脚上的污物，避免因油污的隔离作用影响测量时的准确性。

（4）清洁完成后，用小镊子对待侧场效应管进行放电避免残留电荷对检测的影响（场效应管极易存储电荷）

（5）选择数字万用表的 “二极管”挡
（6）将黑表笔接待测场效应管左边的第一只引脚，用红表笔分别去测与另外两只引脚间的阻值，如图5所示。两次检测均为无穷大。

 20V 4A MOS P管 HN3415 产品热销