MDPmap单晶和多晶的少数载流子寿命测试设备介绍：

MDPmap设计用于离线生产控制或研发、测量少子寿命、光电导率、电阻率和缺陷信息等参数的小型台式无触点电特性测量仪器，在稳态或短脉冲激励下(μ-PCD)下工作。自动的样品识别和参数设置允许在从原始生长晶片到高达95%金属化晶片的各种工艺阶段之后，容易地应用于包括外延层的各种不同样品。

MDPmap的主要优点是灵活性高。例如，它允许集成多达四个激光器，用于从超低注入到高注入的与注入水平相关的寿命测量，或者通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏光设施，以及μ-PCD或稳态注入条件的选择。可以使用不同的测量图形进行客户定义的计算，以及导出用于进一步评估的主要数据。对于标准测量，预定义的标准仅通过按一个按钮即可实现常规测量。

MDPmap单晶和多晶的少数载流子寿命测试设备产品性能：

先进材料的研究和开发

灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测，

具有可视化测试的高分辨率

测试速度: < 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率

寿命测试范围: 20ns到几ms

玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污（Fe）

测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品

灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合

可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备，使用时间> 99