WANTE蓄电池AT12120 12V120AH系列简介

WANTE蓄电池AT12120 12V120AH系列简介

　　万特蓄电池主要应用范围:　　--------------------------------------------------------------------------------

　　1.小型电源:10-100W不等,用于边远无电地区如高原、海岛、牧区、边防哨所等军民生活用电，如照明、电视、收录机等。

　　2.3-5KW家庭屋顶并网发电系统。

　　3.光伏水泵:解决无电地区的深水井饮用、灌溉。

　　4.交通领域:如航标灯、交通/铁路信号灯、交通警示/标志灯、路灯、高空障碍灯、高速公路/铁路无线电话亭、无人值守道班供电等。

万特蓄电池产品特点:　　--------------------------------------------------------------------------------

　　n重量、体积比能量高，内阻小，输出功率高

　　n自放电小，20摄氏度平均每月的自放电率不大于3%

　　n特配方，深放电恢复性能优良

　　n采用高纯度原材料，严格的生产过程控制，保证产品的各项指标一致性好

　　n采用计算机精设计的耐腐蚀钙铅锡合金板栅和*的密封反应效率使电池的使用寿命显着延长

　　n满荷电出厂，使用方便,安全防爆

单晶硅，英文名:Monocrystalline silicon,单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分。硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到 99.9999%，甚达到 99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

　　熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺人微量的ⅢA 族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成 p 型硅半导体；如掺人微量的 VA 族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成 n 型硅半导体。

　　单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。

　　用途:是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。

　　多晶硅，英文名:polycrystalline sil-icon，性质:灰色金属光泽。密度 2.32～2.34。熔点 1410℃。沸点 2355℃。溶于和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热 800℃以上即有延性， 1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。

　　多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。

　　用途:电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

　　非晶硅，英文名:amorphous silicon，主要优点有:质量小、厚度极薄(几个微米)、可弯曲、制造工艺简单等。

　　传统晶体硅太阳电池由于由硅组成，电池主要部分易碎，易产生隐形裂纹，大多有一层钢化玻璃作为防护，造成重量大，携带不便，抗震能力差，造价高，效率或多或少降低。

　　薄膜太阳电池克服了上述缺点，前些年由于技术落后，薄膜太阳电池的光电转化效率并没有传统晶体硅电池转化效率高。

　　薄膜太阳电池的转化效率之提升是太阳能科技界正在不断研究的主方向。截止 2015 年年中，实验室中碲化镉薄膜太阳电池的光电转化效率已达 21.5%，铜铟镓硒薄膜太阳电池的效率也超过 21%，相关组件的效率也将达到 15%。

　　当前已经实现商业化的薄膜太阳电池主要有:碲化镉薄膜太阳电池、铜铟镓硒薄膜太阳电池、非晶体硅薄膜太阳电池。