1、设备功能

　　适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等九大类半导体分立器件全静态参数测试。

　　2、运行条件

　　温度：25±5℃

　　相对湿度：<60%，在或低于30℃

　　通风条件：设备四面距离墙面大于5cm

　　交流电源：220V±10%，47-63Hz，良好的测试仪器接地

　　3、可测试器件种类及参数

　　①二极管：DIODE

　　测试参数：IR、BVR、VF

　　②晶体管：TRANSISTOR(NPN 型、PNP型)

　　测试参数：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

　　③稳压(纳)二极管：ZENER

　　测试参数：IR、VZ MIN、VZ MAX、VF

　　④结型场效应管：J-FET(N-沟/P-沟，耗尽型/增强型)

　　测试参数：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS

　　⑤MOS 场效应管：POWER MOSFET(N-沟/P-沟)

　　测试参数：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS

　　⑥三端稳压器：REGULATOR(正电压/负电压，固定/可变)

　　测试参数：VOUT、IIN

　　⑦光电耦合器：OPTO-COUPLER(NPN 型PNP 型)

　　测试参数：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

　　⑧可控硅整流器(普通晶闸管)SCR

　　测试参数：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

　　⑨双向可控硅(双向晶闸管)TRIAC

　　测试参数：IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT

　　1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

　　⑩绝缘栅双极大功率晶体管：IGBT(NPN 型PNP 型)

　　测试参数：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

　　⑾继电器：RELAY

　　测试参数：RCOIL,VOPER,VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME(需加继电器适配器)

　　⑿压变电阻：VARISTOR

　　测试参数：ID+ ID-、VC+ VC-

　　⒀达林顿阵列：DARLINTON

　　测式参数：ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESAT、VBE(VBEON)

武汉赛斯特精密仪器有限公司是武汉市专业研发，以力学试验机仪器为主，同时销售各种、中低端分析仪器。现有员工60多人，公司成功开发了PCI放大采集卡和中文版试验软件，并采用全数字化，操作简捷，*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等标准、国家标准、行业标准的要求，公司亦通过了ISO9001质量体系认证和国家计量体系认证，荣获了“武汉市第九界消费者满意单位”的称号。产品广泛应用于电子、高校、政府研究机构、环保机构、防军工、航天、石油化工、纺织制造、第三方检测机构、家级别研究院、新能源、集成电路、芯片、封装测试、半导体行业、显示器领域、光电材料、锂电池、机械生产等领域。并与武汉理工大学、华中科技大学等建立了长期合作，每年投入大量研究经费，招揽各方秀的技术人才加盟突破国内技术壁垒，不断攻克新的技术难题，另外公司还积极拓展海外业务，产品远销越南，印度，埃及等国家和地区。