北广精仪 品牌
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介电常数电桥电容率测试仪应用
无源元件:
电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数评估和性能分析
半导体元件:
LED驱动集成电路寄生参数测试分析;变容二极管的C-VDC特性;晶体管或集成电路的寄生参数分析
其它元件:
印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估
介质材料:
塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估
磁性材料:
铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估
半导体材料:
半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性液晶材料:液晶单元的介电常数
技术指标
1测量范围及误差
本电桥的环境温度为20±5℃,相对湿度为30%-80%条件下,应满足下列表中的技术指示要求。
在Cn=100 pF R4=3183.2(Ω)时
测量项目 | 测量范围 | 测量误差 |
电容量Cx | 40pF—20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介损损耗tgδ | 0-1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
在Cn=100 pF R4=318.3(Ω)时
测量项目 | 测量范围 | 测量误差 |
电容量Cx | 4pF—2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介损损耗tgδ | 0-0.1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
2电桥测量灵敏度
电桥在使用过程中,灵敏度直接影响电桥平稳衡的分辨程度,为保证测量准
确度,希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压,标准电容量成正比。
在下面的计算公式中,用户可根据实际情况估算出电桥灵敏度水平,在这个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。
ΔC/C或Δtgδ=Ig/UωCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中: U 为测量电压 伏特 (V)
ω为角频率2πf=314(50Hz)
Cn标准电容器容量 法拉(F)
Ig通用指零仪的电流5×10-10 安培(A)
Rg平衡指零仪内阻约1500 欧姆(Ω)
R4桥臂R4阻值3183 欧姆(Ω)
Cx被测试品电容值 法拉(pF)
电桥简介:
BQS-37a型高压电桥是本公司推出的新一代高压电桥,主要用于测量工业绝缘材料的介质损耗(tgδ)及介电常数(ε)。符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固体电绝缘材料的交流损耗特性及介电常数的试验方法其采用了西林电桥的经典线路,内附0-5000的数显高压电源及100PF标准电容器,并可按用户要求扩装外接标准电容线路。
电极设计为平板型带保护电极的三端式电容器,绝缘材料的介质损耗角δ是由该绝缘材料作为介质的电容器上所施加的电压与流过该电容器的电流之间的相位差的余角。绝缘材料的介质损耗因数是介质损耗角δ的正切值tgδ当绝缘材料制成片状试样置于电极中间施加一定的压力后,可视作由该绝缘材料作为介质的电容器,电容量和介质损耗因数的测量可在高压电容电桥上进行。绝缘材料的相对介电常数εr是电极间及其周围的空间全部充以绝缘材料时,电容器Cx与同样构型的真空电容器Co之比:εr=Cx/Co
介电常数电桥电容率测试仪键盘锁定功能,掉电数据保护功能,图形扫描功能,列表扫描功能、开路、短路、负载校正功能简体中文、英文操作语言,进行测试数据、测试条件保存.