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10Gbps CWDM1271nmDFB芯片该芯片为高性能高速设计应用于4G/5G网络中
储存温度：-40摄氏度-85摄氏度
工作温度：-5摄氏度-85摄氏度
反向电压：2伏
正向电流：120毫安
正向电压：典型值1.25伏最大值1.35伏
斜效率：0.2 0.35 0.45mW/mA
边模抑制比：35db
电阻：9欧姆
峰值波长 ：最小值λ-6.5 最大值λ+6.5nm
波长温度系数：0.09
带宽：最小值：12GHz 最大值：16GHz
每款产品均有相对应的数据参数，如果想要了解产品的技术规格书，请联系我们，我们会将规格书发送给你，我公司所有的产品都有质量保证有专业的售后工程师一对一的解答。
