850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器

850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-11-02 17:44:11
630
属性:
产地类别:进口;价格区间:面议;应用领域:化工,建材,电子;组成要素:半导体激光器产品及设备;
>
产品属性
产地类别
进口
价格区间
面议
应用领域
化工,建材,电子
组成要素
半导体激光器产品及设备
关闭
筱晓(上海)光子技术有限公司

筱晓(上海)光子技术有限公司

高级会员4
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

筱晓(上海)光子技术有限公司,MCT探测器,半导体激光二极管,中红外QCL激光器,光纤放大器,光电探测器
850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器

详细介绍

850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器 850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器

我们的单模VCSEL旨在满足广泛的光学传感应用的严格规范。该产品提供偏振稳定的单模发射,具有对称的高斯光束轮廓,输出功率通常为1mW。偏置电流范围为3至6mA。


通用参数

产品特点:

单横模和单纵模

偏振稳定发射

低功耗

高可靠性

高斯光束分布

背面阴极和顶部阳极配置

通过RoHS认证

 

产品应用:

激光鼠标

光学传感器应用

光电编码器

 

光电特性:

操作条件: Top= 5°- 45℃; Iop=const., set at 25℃  so that Pop=0.55mW

 

参数

符号

最小

典型

最大

单位

备注

阈值电流

ITH

1

3

5

mA

T = 25°C

斜率效率

η

0.20

0.40

0.65

mW/mA

T = 25°C, I = Ith+1mA

工作电流

IOP

2.3


6

mA

T = 25°C, Pop=0.55mW

工作电压

UOP



2.3

V

工作条件

微分电阻

Rd

20


90

T = 25°C,   Pop=0.55mW

SM光输出功率

PSM

0.9



mW

T = 25°C

边模抑制比

SMSR

10



dB

T = 25°C, Pop=0.9mW

偏振方向的精度

δpo

-15


+15

deg

T = 25°C, Pop=0.2...0.9mW

发射波长

λpeak

840

850

860

nm

工作条件

光束发散性

θFW1/e2

13

17

21

deg

T = 25°C, Pop=0.5mW

光功率随温度的变化

P(T) – Pop

-200


+120

µW

Iop, T=5...45°C

SM=单个模式;FW1/e2=全宽1/e2

 

绝对最大额定参数

参数

最大值

单位

备注

连续工作电流

8

mA

3

连续反向电压

8

V


PCB焊料或回流温度

260

°C

最多10秒

 

封装尺寸:芯片尺寸

参数

最小

典型

最大

备注

芯片宽度

135

155

175

µm

芯片长度

135

155

175

µm

芯片厚度

135

150

165

µm

 


 


上一篇:半导体连续激光器主要由以下几个部分组成 下一篇:脉冲激光器是采用什么原理工作的?
热线电话 在线询价
提示

请选择您要拨打的电话:

当前客户在线交流已关闭
请电话联系他 :