迁移率少子寿命测试仪特点：

■测试范围广：包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅片等的少子寿命及锗单晶的少子寿命测量。

■主要应用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片的进厂、出厂检查，生产工艺过程中重金属沾污和缺陷的监控等。

■适用于低阻硅料少子寿命的测量，电阻率测量范围可达ρ>0.1Ω?cm（可扩展至0.01Ω?cm），完了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题。

■全程监控动态测试过程，避免了微波光电导（u-PCD）无法观测晶体硅陷阱效应，表面复合效应缺陷的问题。

■贯穿深度大，达500微米，相比微波光电导的30微米的贯穿深度，真正体现了少子的体寿命的测量，避免了表面复合效应的干扰。

■专业定制样品架地满足了原生多晶硅料生产企业测试多种形状的硅材料少子寿命的要求，包括硅芯、检磷棒、检硼棒等。

■迁移率少子寿命测试仪性价比高，价格远低于国外国外少子寿命测试仪产品，极大程度地降低了企业的测试成本。