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霍尔迁移率（Hall mobility）是指Hall系数RH与电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲。其表达式为μH =│RH│σ。12
霍尔迁移率是Hall系数RH与电导率σ的乘积。在简单情况下，霍尔迁移率μH等于载流子的电导迁移率μ，但在考虑速度分布的情况下，两者可能不相等。
霍尔迁移率实际上不一定等于载流子的电导迁移率，因为载流子的速度分布会影响电导迁移率。只有在不考虑速度分布的情况下，霍尔迁移率才等于电导迁移率。
霍尔迁移率在电子材料中是一个重要指标，特别是在GaN基HEMT结构材料中。高电子迁移率可以提升器件的工作速度和效率，减少膝点电压，从而使器件在较高频率下工作，具有更高的效率。
