氧化镓电阻率方阻测试仪
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2024-11-30 21:18:43
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九域半导体科技(苏州)有限公司

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产品简介

氧化镓电阻率方阻测试仪:Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器

详细介绍

氧化镓电阻率方阻测试仪介绍:

氧化镓是一种无机化合物,化学式为Ga2O3。别名三氧化二镓,是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器,

Ga2O3有五种同分异构体:α,β,γ,δ,ε,其中是β-异构体,当加热至1000℃以上或水热条件(即湿法)加热至300℃以上时,所有其他的异构体都被转换为β-异构体。可采用各自不同的方法制得各种纯的异构体。

把金属镓在空气中加热至420~440℃;焙烧硝酸盐使之分解或加热氢氧化镓至500℃等都可制得α-Ga2O3。

快速加热氢氧化物凝胶至400~500℃可值得γ-Ga2O3,γ-Ga2O3具有缺陷的尖晶石结构。

在250℃加热硝酸镓然后在约200℃浸溃12小时,可制得δ-Ga2O3,它类似于In2O3、Tl2O3、Mn2O3和Ln2O3的C-结构。

在550℃短暂加热(约30分钟)δ-Ga2O3可制得ε-Ga2O3。

将硝酸盐、醋酸盐、草酸盐或其他镓的化合物以及Ga2O3的任意其他异构体加热至1000℃以上均可分解或转化为β-Ga2O3。

氧化镓电阻率方阻测试仪更多信息请联系我们。

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