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微波法霍尔迁移率
在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间 参考价面议 -
微波法少子寿命
即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。 参考价面议 -
外延电阻率方阻测试仪
外延电阻率方阻测试仪：外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构：外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。因有些厂只做外延之后的工艺生产，所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺。 参考价面议 -
衬底电阻率方阻测试仪
衬底电阻率方阻测试仪：衬底，或称基片（substrate），是指在半导体器件制造过程中用来支持其他材料或结构的底层材料。衬底的物理性质包括其晶体结构、机械强度、热导率、膨胀系数等，而化学性质则涵盖其纯度、表面化学稳定性、化学反应活性等。常见的衬底材料如硅（Si）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）等，因其物理与化学性质而被广泛应用。 参考价面议 -
玻璃方阻测试仪
玻璃方阻测试仪应用ITO导电玻璃的时候，往往会提到一个重要的参数，这个参数就是：方阻，也称方块电阻。同时，我们也可以将其理解为ITO的表面电阻率。 参考价面议 -
金属薄膜方阻测试仪
金属薄膜方阻测试仪：金属薄膜方阻，方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关，其单位为Siements/sq，后增加欧姆/sq表征方式，该单位直接翻译为方块电阻或者面电阻，用于膜层测量又称为膜层电阻。 参考价面议 -
氧化镓电阻率方阻测试仪
氧化镓电阻率方阻测试仪：Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器 参考价面议 -
氮化镓电阻率方阻测试仪
氮化镓电阻率方阻测试仪：氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。 参考价面议 -
碳化硅电阻率方阻测试仪
碳化硅电阻率方阻测试仪：
1、电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ=ρ0（1+at）。式中t是摄氏温度，ρ0是O℃时的电阻率，a是电阻率温度系数。
2、由于电阻率随温度改变而改变，所以对某些电器的电阻，必须说明它们所处的物理状态。如一个220 V -100 W电灯灯丝的电阻，通电时是484欧姆，未通电只有40欧姆左右。 参考价面议 -
晶圆电阻率测试仪
晶圆电阻率测试仪：电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。
在温度一定的情况下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是电阻率，l为材料的长度，S为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，而与其截面积成反比。
由上式可知电阻率的定义式：ρ=RS/l，国际单位制中，电阻率的单位是欧姆·米（Ω·m），常用单位是欧姆·毫米、欧姆·米。 参考价面议 -
硅片电阻率测试仪
硅片电阻率测试仪：电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。
在温度一定的情况下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是电阻率，l为材料的长度，S为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，而与其截面积成反比。
由上式可知电阻率的定义式：ρ=RS/l，国际单位制中，电阻率的单位是欧姆·米（Ω·m），常用单位是欧姆·毫米、欧姆·米。 参考价面议 -
无损电阻率测试仪
非接触式单点薄层电阻测量系统。该装置包含一个涡流传感器组，感应弱电流到导电薄膜和材料。非接触式薄膜方块电阻测量仪试样中的感应电流产生与测量对象的片电阻相关的电磁场。电涡流技术不依赖于表面特征或形貌。此外，非接触式单点方阻测试仪不需要如已知的2或4点探针测试(2PP, 4PP)或霍尔效应或范德波测量一样进行任何形式的充分的样品接触或备样。无损电阻率测试仪既不需要设置测试结构，也不受表面粗糙度。 参考价面议