森泰克感应耦合等离子刻蚀机SI 500是一款由SENTECH（德国森泰克）公司研发并生产的电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀系统。该产品以其高精度、低损伤、高速率以及灵活的模块化设计，在半导体制造、微纳加工等领域得到了广泛应用。以下是对SI500产品的详细介绍：

一、产品特点

低损伤纳米结构刻蚀：

高速率刻蚀：

内置ICP等离子源：

动态温控：

灵活性和模块化设计：

二、应用领域

森泰克感应耦合等离子刻蚀机SI 500干法刻蚀系统广泛应用于半导体制造、微纳加工、MEMS制造等领域。它可以用于刻蚀多种材料，包括但不限于三五族化合物半导体（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金属等。

三、产品规格

型号：SI500

品牌：SENTECH（德国森泰克）

产地：德国

工艺温度范围：根据不同型号，工艺温度范围有所不同，如-150°C至+400°C

晶圆尺寸：最大可处理200mm晶圆

四、总结

SI500作为一款先进的电感耦合等离子体干法刻蚀系统，以其低损伤、高速率、高精度以及灵活的模块化设计，在半导体制造和微纳加工领域展现出了的性能和广泛的应用前景。无论是科研还是工业生产，SI500都能提供SI500是一款由SENTECH（德国森泰克）公司研发并生产的电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀系统。该产品以其高精度、低损伤、高速率以及灵活的模块化设计，在半导体制造、微纳加工等领域得到了广泛应用。以下是对SI500产品的详细介绍：

一、产品特点

低损伤纳米结构刻蚀：

高速率刻蚀：

内置ICP等离子源：

动态温控：

灵活性和模块化设计：

二、应用领域

SI500ICP干法刻蚀系统广泛应用于半导体制造、微纳加工、MEMS制造等领域。它可以用于加工各种材料，包括三五族化合物半导体（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金属等。

三、产品规格

型号：SI500

品牌：SENTECH（德国森泰克）

产地：德国

最大晶圆片尺寸：200mm（部分型号可支持更大尺寸）

衬底温度范围：根据型号不同，可从-150°C至+400°C

自动化程度：提供不同级别的自动化装置，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口

四、总结

SI500作为一款先进的电感耦合等离子体干法刻蚀系统，以其低损伤、高速率、高精度和灵活性的设计特点，在半导体制造和微纳加工领域展现出性能和广泛的应用前景。无论是对于科研机构还是工业生产企业而言，SI500都是一个值得考虑的高性能刻蚀设备。SI500是一款由SENTECH（德国森泰克）公司研发并生产的电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀系统。该产品以其高精度、低损伤、高速率以及灵活的模块化设计，在半导体、MEMS、光电子学、纳米技术等领域具有广泛的应用。以下是对SI500产品的详细介绍：

一、技术特点

低损伤纳米结构刻蚀：由于等离子的能量分布低，SI500能够实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀，特别适用于对材料表面质量要求高的应用场景。

高速率刻蚀：在MEMS制造工艺中，SI500能够实现Si材料光滑侧壁的高速高选择比刻蚀，提高生产效率。

内置ICP等离子源：采用平板三螺旋天线（PTSA）等离子源，这是SENTECH离子工艺系统，能够生成高密度低能量分布的等离子体，适用于多种材料的刻蚀工艺。

动态温控：ICP衬底电极结合背面氦气冷却和温度传感器进行动态温控，工艺温度范围可达-150°C至+400°C，确保刻蚀过程中的温度稳定性和工艺质量。

二、应用领域

SI500ICP干法刻蚀系统可用于加工各种各样的衬底，包括直径高达200mm的晶片以及装载在载片器上的零件。通过配置不同的工艺模块，SI500可用于刻蚀多种材料，包括但不限于三五族化合物半导体（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金属等。

三、设计特点

灵活性和模块化：SI500的设计注重灵活性和模块化，可以根据用户需求进行配置和扩展。从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，实现高灵活性或高产量。

全自动控制：配备全自动控制的真空系统和远程现场总线技术的SENTECH控制软件，以及用户友好的通用接口，使得操作更加简便和高效。

高精度和稳定性：单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。动态温度控制技术和高耦合效率的等离子源确保了刻蚀过程的高精度和稳定性。

四、产品型号

SI500系列提供了多种型号以满足不同用户的需求，包括但不限于：

SI500ICP等离子刻蚀机：带预真空室，适用于200mm的晶片，衬底温度从-20°C到300°C。

SI500C等温ICP等离子刻蚀机：带传送腔和预真空室，衬底温度从-150°C到400°C。

SI500RIE：RIE等离子刻蚀机，背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案，电容耦合等离子体源可升级成ICP等离子体源PTSA。

SI500-300ICP等离子刻蚀机：带预真空室，适用于300mm晶片。

综上所述，SI500作为一款先进的电感耦合等离子体干法刻蚀系统，以技术性能、广泛的应用领域以及灵活的设计特点，在微纳加工领域具有重要地位。