软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行，软烘设备工作原理如图2.17所示，硅片放在真空热板上，热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃，时间为30~60S。软烘后将硅片转移到轨道系统的冷板上冷却以便下一步操作。
以光学紫外曝光为例，首先将硅片定位在光学系统的聚焦范围内，硅片的对准标记与掩模版上相匹配的标记对准后，紫外光通过光学系统和掩模版图形进行投影。掩模版图形若以亮暗的特征出现在硅片上，这样光刻胶就曝光了。
