日本napson薄膜电阻检测仪EC-80P技术解析

相关（硅，多晶硅，碳化硅等）半导体/太阳能电池材料
的新材料/相关功能性材料（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关的（金属，ITO等）
硅基外延离子注入的样品
化合物与半导体有关的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与我们联系）

无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

[电阻率] 1 m至200Ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500 um）
[抗热阻] 10 m至3 kΩ/ sq
（*所有探头类型的总范围）

*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-​​cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）