电阻测量仪EC-80P在多晶硅纳米薄膜检测中的运用
不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜,研究了掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻和电学修正特性的影响。利用低压化学气相淀积法制备了不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜,掺杂浓度分别为1.0×1020 cm-3、2.0×1020 cm-3、4.1×1020 cm-3和7.1×1020 cm-3。利用应变系数测量装置对不同掺杂浓度多晶硅纳米薄膜的应变系数进行了测量;利用恒流源和万用表测量不同掺杂浓度多晶硅纳米薄膜的电学修正特性。实验结果表明:多晶硅纳米薄膜的应变系数与掺杂浓度有关,应变系数范围:33.38～38.41;利用电学方法能够修正多晶硅纳米薄膜的电阻,最大修正范围可达15.4%。多晶硅纳米薄膜具有较高的应变系数,适用于制作压阻式传感器;电学修正可用来调整多晶硅纳米薄膜的电阻,进而降低传感器的失调。
日本napson便携式导电薄膜无损（涡流法）电阻测量仪EC-80P
只需触摸手持式探头即可进行电阻测量。
在电阻率/薄层电阻测量模式之间轻松切换
使用JOG拨盘轻松设置测量条件
连接到连接器的电阻测量探针是可更换的，因此它支持广泛的电阻。
（电阻探头：多可以使用2 + PN判断探头）
相关（硅，多晶硅，碳化硅等）半导体/太阳能电池材料
的新材料/相关功能性材料（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关的（金属，ITO等）
硅基外延离子注入的样品
化合物与半导体有关的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与我们联系）
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
[电阻率] 1 m至200Ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500 um）
[抗热阻] 10 m至3 kΩ/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）
