真空蒸镀是将固体材料（简称蒸镀材料）在高真空环境中加热，沉积在特定基板上，得到薄膜的过程。真空蒸镀工艺主要用于微电子制造有源元件、器件触点和金属互连件、高精度低温度系数薄膜电阻器，以及薄膜电容器的绝缘介质和电极。
真空蒸发镀膜
通过真空蒸发工艺形成各种薄膜是集成电路制造的一项重要技术。可以通过真空蒸发沉积多种材料，例如导电材料、介电材料、磁性材料和半导体材料。
影响薄膜质量的关键过程
在真空蒸发过程中，系统的真空度直接影响薄膜的质量。为了将蒸发原子或分子沉积在离蒸发源一定距离的基板上，真空室的真空度一般应优于6×10-2 Pa。在真空室中，蒸发材料只有在其蒸气压在1Pa以上时才被蒸发。为此，往往需要将蒸发颗粒加热到1000～2000℃；对于一些耐火材料，它必须加热到高达3000°C。
常见的加热方式有两种
直接加热-将高熔点导体（如钼、铌、钨或石墨、氮化硼、硼化钛的混合物）制成各种形状的篮子或舟，将蒸发丸放在上面，用大电流以提高温度。
间接加热-有些材料在高温下可能会被加热的材料腐蚀，因此不应直接放在加热器上。这时，我们可以使用一些耐热且稳定的材料，如氧化铝、氧化钇或氧化锆来制作坩埚。蒸发材料置于坩埚内，加热器通过坩埚加热蒸发材料。
