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东谱科技迁移特性-飞行时间法迁移率测量仪FlyTOF

东谱科技(广州)有限责任公司

2024/6/6 10:33:56

产品关键词:载流子迁移率、电子迁移率、空穴迁移率、渡越时间、飞行时间、TOF、载流子寿命、迁移率寿命积、瞬态光电流、水平载流子、横向TOF、横向载流子、二维载流子成像mapping


FlyTOF飞行时间法迁移率测量仪是东谱科技HiTran瞬态综合光电特性测量平台中的重要成员。该系统利用飞行时间法(time-of-flightTOF)测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性,广泛适用于各类半导体材料,如硅基半导体、第二代半导体、第三代宽带隙半导体、有机半导体、钙钛矿半导体、量子点半导体、二维材料半导体、金属-有机框架(MOF)、共价有机框架(COF)等。FlyTOF基于我司的MagicBox主机研制而成,配备便捷的上位机控制和数据测量软件,可助力客户进行快速、准确的测量。FlyTOF是东谱科技源头研发产品,是业内新款自动化、集成化的飞行时间法迁移率测试商业化设备。


东谱科技迁移特性-飞行时间法迁移率测量仪FlyTOF

东谱科技迁移特性-飞行时间法迁移率测量仪FlyTOF

迁移特性是半导体基础的性质之一,是半导体在电子学和光电子学等领域进行应用的基础。半导体的迁移率定义为单位电场下载流子的平均漂移速度。TOF迁移率测试方法直接由迁移率的定义发展而来。 相比于一些间接的迁移率测试方法,如空间电荷限制电流(SCLC)法等,TOF的方法被认为是接近“真实”迁移率的一种测量方法。通过TOF瞬态光电流信号的分析,可以得到电子迁移率、空穴迁移率等参数;用户还可以利用这些数据,结合材料的物理模型进行分析,得到杂质浓度、缺陷、能带混乱度、电荷跳跃距离等参数。

作为TOF迁移率测试方法商业化应用的先行,东谱科技已携手客户广泛探索了FlyTOF在有机半导体、硅基半导体、钙钛矿半导体、二维材料、共价有机框架等领域的应用。东谱期待与您共同开拓FlyTOF更多的应用领域。

FlyTOF性能优异,具有载流子迁移率测量值覆盖10^-9~10^6 cm^2/(V.s)专业的信号调教,电磁兼容噪声小 行业优秀TOF测试功能软件自动控制,测试快速便捷快速换样装置,惰性气体氛围测试可实现宽温度范围的变温测试(选配)可通过可视化系统看到光斑照射情况可灵活耦合各种类型的激发光源等特点。

可进行飞行时间法瞬态光电流测量半导体材料电子迁移率测量半导体材料空穴迁移率测量载流子浓度测量载流子寿命测量可选变温测量可选Lateral-TOF测试功能及附件可选配TOF二维扫描(mapping)功能及附件;渡越时间

TranPVC广泛应用于有机半导体、量子点半导体、元素半导体(SiGe等)、金属-有机框架(MOF)、二维材料、宽带隙第三代半导体、钙钛矿材料、化合物半导体(InGaAs等)、共价有机框(COF)、共价有机框(COF)以及其它半导体材料。





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